第7章半导体二极管和三极管.pptxVIP

第7章 半导体二极管和三极管(一)7.1半导体的导电特性7.2半导体二极管7.3稳压电源7.4半导体三极管本章要求一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的简单电路。学习电子技术应注意的几个问题：1、管为路用：对于半导体器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论半导体器件的原理目的在于应用。 2、非线性问题的线性化：对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 半导体器件是非线性的、特性有分散性,工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 3、重点在于掌握概念，而非计算技巧。7.1 半导体的导电特性 物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体三大类。，典型的半导体有硅(Si)和锗(Ge)，以及砷化镓(GaAs)等。硅和锗在元素周期表上是四阶元素。 半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的：半导体的导电特性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强（可做成 温度敏感元件，如热敏电阻）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 ( 可做成各 种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极 管等 )。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变( 可做成各种不同用途的半导体器件，如二 极管、三极管和晶闸管等）。 Si Si价电子 Si Si一. 本征半导体天然的硅和锗是不能制作成半导体器件的。它们必须先经过高度提纯.完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。共价健晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si自由电子本征半导体的导电机理 价电子在获得一定能（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。价电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补(价电子填空穴的现象称为复合)。而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： (1) 自由电子作定向运动 ?电子电流 (2) 价电子递补空穴 ?空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 Si Si Si Sip+二. N型半导体和 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在常温下即可变为自由电子掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。多余电子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。磷原子 Si Si SiB– Si掺入三价元素 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。空穴 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。硼原子接受一个电子变为负离子此时整个晶体带电吗？为什么？ 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。内电场－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++－－+++－－++－－++－－三. PN结及其单相导电性 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。1. PN结的形成少子的漂移运动P 型半导体N 型半导体 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。浓度差多子的扩散运动形成空间电荷区 扩散的结果使空间电荷区变宽。－+－－－－－+++++－+－－－－－++++++－－－－－－+++++内电场NP–+外电场2. PN结的单向导电性 P接正、N接负 (1) PN 结加正向电压（正向偏置）PN 结变窄 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。IF PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。－－+－++－－－+++－－+－++－－－－－++++－++－－－+++PN内电场–+外电场(2) PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正 PN 结变宽 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。IR PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流