第一张调制与偏转技术.pptVIP

例如，取L＝d＝1cm，γ63 ＝10．5×10-12 m／V， no＝1.51，V＝1000V，则得θ＝35×10–7 rad。可见电光偏转角是很小的，很难达到实用的要求。为了使偏转角加大，而电压又不致太高，常将若干个KDP棱镜在光路上串联起来，构成长为mL、宽为d、高为h的偏转器，如图1.2-20所示。光束通过偏转器后，总的偏转角 于是上、下折射率之差(△n=nB-nA)为 ，将其代入(1.2-66)式，即得： 图 1.2-20 多级棱镜偏转器 书中有误，Ex (1.2-67) 为每级(一对棱镜)偏转角的m(m一般取4-10）倍，即： 七、设计电光调制器应考虑的问题 一个高质量的电光调制器主要应满足以下几个方面的要求： (1). 调制器应有足够宽的调制带宽，以满足高效率无畸变地传输 信息。 (2).调制器消耗的电功率小。 (3).调制特性曲线的线性范围大。 (4).工作稳定性好。 现以KDP类电光调制器为例来说明如何选择参数。 电光晶体材料的选择 调制晶体材料对调制效果起着关键的作用，所以在选择晶体材料时，应着重考虑以几个方面的因素： A. 首先是光学性能好,对调制光波透明度高,吸收和散射损耗小并且晶体的折射率均匀,其折射率的变化应满足△n＜10-4／cm； B. 其次是电光系数要大，因为调制器的半波电压及所耗功率分别与γ63 和γ632 成反比。 C. 此外，调制晶体还要有较好的物理化学性能(主要指硬度、光破坏与制、阈值、温度影响和潮解等)。表1.2-2给出了一些常用的电光晶体材料。 表1. 2—2 常用电光晶体材料及其物理性能 2．降低调制器功率损耗的方法 由于KDP类电光晶体的半波电压较高,为了降低其功率损耗，可采用n级晶体串联的方式(即光路上串联、电路上并联)。图1.2-23表示一个4块KD*P晶体串联的纵向调制晶体，把相同极性的电极联接在一起，为使四块晶体对入射的偏振光的两个分量的相位延迟 皆有相同的符号，则把晶体的x和y轴逐块旋转90°安置(例如第二块晶体的x、y轴相对于第一、三块x、y轴旋转90。)，其结果使相位延迟相加，这相当于降低了半波电压。但串接晶体块数亦不宜过多，以免造成透过率太低或电容太大。 面已有分析,为使畸变尽可能小，必须把高次谐波的幅值控制在允许的范围内， 当η＝100%, I3ω/ Iω≈ 0.05时，查得调制电压幅值V ≈ 0.383V入/2，即可保证调制光不发生畸变。 3．调制电压的选择 从前面图1.2-6的调制特性曲线可以看出，即是调制器已工作在B点，但是，当调制信号电压幅值太大，仍会到达非线性部分，因而会使调制光发生畸变，调制光畸变的程度与调制电压幅值的关系前 4．电光晶体尺寸的选择 电光晶体的尺寸是指其长度和横截面的大小。在KDP类晶体纵向运用中，虽然半波电压与晶体长度无关，但增加其长度却能减小调制器的电容(因为Co=εA / L)使频带展宽，可是长度越长对加工及装调精度要求越高，否则，晶体的光轴不可能完全平行于光波传播方向，会受到晶体自然双折射的影响，因而增加调制器的相位延迟的不稳定性，故L不能过长。横向截面的大小主要根据通光孔径的要求而定。 1．3 声光调制 （next time) (Hope all of you to read it in advance) See you next week! 图1.2-4示出了某瞬间 和 两个分量(为便于观察，将两垂直分量分开画出)，也示出了沿着路径上不同点处光场矢量的顶端扫描的轨迹，在z＝0处(a)，相位差 ，光场矢量是沿X方向的线偏振光；在e点处， ，则合成光场矢量变为一顺时针旋转的圆偏振光；在i点处， ，则合成光矢量变为沿着Y方向的线偏振光，相对于入射偏振光旋转了90o。如果在晶体的输出端放置一个与入射光偏振方向相垂直的偏振器，当晶体上所加的电压在0— 间变化时。从检偏器输出的光只是椭圆偏振光的Y向分量，因而可以把偏振态的变化变换成光强度的变化(强度调制)。 利用泡克耳斯效应实现电光调制可以分为两种情况。一种是施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的．但在时间上是变化的．当一束光通过晶体之后，可以使一个随时间变化的电信号转换成光信号，由光波的强度或相位