第1章二极管及基本电路.pptxVIP

一、电子技术： 无确切定义。因为近年来它发展迅猛，分支庞杂。有种说法为“凡是研究含有电子器件的电路、系统及应用的学科”。　　; 1．第一代电子器件——电子管 1906年，福雷斯特（Lee De Fordst）等发明了电子管，是电子学发展史上第一个里程碑。用电子管可实现整流、稳压、检波、放大、振荡、变频、调制等多种功能电路。 电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。世界上第一台计算机用1.8万只电子管，占地170m2，重30t，耗电150kW。;2．第二代电子器件——晶体管 1948年，肖克利（W.Shckly）等发明了半导体三极管，其性能明显优于电子管，从而大大促进了电子技术的应用与发展。晶体管的发明是电子学历史上的第二个里程碑。 尽管晶体管在体积、重量等方面性能优于电子管，但由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多，可靠性差。;3．第三代电子器件——集成电路 1958年，基尔白等提出将管子、元件和线路集成封装在一起的设想，三年后，集成电路实现了商品化。 当前，单个芯片可集成器件成千上万个，例如，CPU芯片P6内部就封装了550万只晶体管。集成电路的发展促进了电子学、特别是数字电路和微型计算机的发展，人类社会开始迈进信息时代。 集成电路按集成度可分作 (1)小规模集成电路（SSI）＜102 (2)中规模集成电路（MSI）＜103 (3)大规模集成电路（LSI）＜105 (4)超大规模集成电路(VLSI)＞105 当前，微电子已成为最具有发展前途的产业，微电子技术水平已成为衡量一个国家技术水平的重要标志。;三、若干蓬勃发展的研究方向;微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS); 第1章 半导体二极管及其基本电路; ; 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。;半导体的导电特性：;2. 本征半导体;;当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移 运动），在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流;3 . N型半导体和 P 型半导体; 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称???空穴半导体或 P型半导体（Positive）正的字头。;; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;1.2 PN结的形成及其单向导电性;;P; 1. PN 结加正向电压（正向偏置）;;;–;;不利多子扩散 有利少子漂移;此电流称为反向饱和电流，记为IS。;1.1.3 PN结的电压与电流关系;IS—PN结反向饱和电流;1.2 半导体二极管;1.2.1 基本结构（一个PN结）;;1.2.2 伏安特性;二极管的单向导电性;(2) 当;c. 降低反向电压，二极管仍能正常工作;a. 齐纳击穿 ;半导体的掺杂浓度低;1.2.3 主要参数;1.2.4 型号命名规则;部分国产半导体高频二极管参数表;1.2.5 温度对半导体二极管特性的影响; 1.2.6 二极管电路分析;1.二极管正向伏安特性的建模;(2) 恒压降模型;(3) 折线模型;(4) 小信号模型 ;取iD对vD的微分，可得微变电导;2. 模型分析法应用举例;解：图a的电路中，虚线左边为线性部分，右边为非线性部分。符号“⊥”为参考电位点，或叫“地”，即电路的共同端点。电路中任一点的电位，都是对此共同端而言的，这在第1章中已介绍过。为了简单起见，图a所示的电路常采用图b所示的习惯画法，今后经常用到。现按题意，分别求解如下：;(2) VDD=1V ① 使用理想模型得：VD=0V， ID= VDD/R=0.1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， ID= （VDD－0.7）/R=0.03mA ③ 使用折线模型得 ID=0.049mA，VD=0.51V;电路如图，求：UAB;（2）二极管限幅电路;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui; 二极管双向限幅电路; 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。; 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之间的电压ＵAB值。 ;在检波电路中的应用（无线通讯）;;1.3 特殊二极管;3. 主要参数;半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下。很容