TSMC65nm工艺中lvt_nch器件的一些参数仿真.docVIP

TSMC65nm工艺中lvt_nch器件的一些参数仿真 nmos管的特征频率 特征频率是每一种工艺下的非常重要的参数，它的定义是当电流增益降到1时所对应的频率。因此我们采用如图1所示的电路图进行仿真。 图1.特征频率测试电路图 说明：图中的电感的作用是使在直流情况下通过，交流情况下断开；电容是使理想电流源直流情况下断开，交流情况下通过。的AC Magnitude取值为1A，这样做的好处就是只要测出电流，它在数值上是与电流增益一致的。用探针和分别测出和，则，作出随频率变化的曲线，找出=1时对应的频率值就是我们想要知道的特征频率。这里我们对不同的直流偏置进行了扫描，得到的波形如图2所示： 图2. 随频率以及Vgc的变化曲线簇图 由于cadence软件的CROSS函数未能正常使用，所以数据读取时是采用肉眼读取，例如，当Vgc取0.8V时，当=1时对应的频率大概是150GHz。特征频率是一个重要的指标，它说明在电路中，工作的频率最大大概是特征频率的1/3到1/4，超过这个值电路就不能正常工作，所以再设计电路的时候要非常注意。 nmos管的特性曲线 特性曲线表示的是漏端电流跟和的关系，具体的测量电路如图3： 图3.特性曲线仿真电路图 说明：先对进行参数DC扫描，扫描范围在0-1.2V；接着再进行参数分析，从0-1.2V，步数为13步。仿真结果如图4： 图4. 特性曲线图 从图4中可以看出，在