同步辐射真空紫外与红外光谱基础.ppt

如格波的解具有如下形式 代入以上方程，可得 这就是格波中?-q的关系式，又称为色散关系。 稀有气固体的激子 稀有气固体在真空紫外区域很容易看到激子的吸收和发射谱 稀有气固体激子基态（n=1）的半径从Ne到Xe为0.9-3.2?，相应的最近邻原子间距为3.13-4.15 ?，接近于Frenkel激子 稀有气固体激子吸收谱 稀有气固体激子能级的分布可从吸收谱观察到 由固体Ar的吸收谱可以看出，它具有两列类H线系，分别标以?3/2和?1/2。这是由于自旋-轨道偶合使稀有气晶体的价带分解为j=3/2, 1/2两个系列。在线系的高能和低能侧都有若干小峰伴随。实际上，kr、Xe的吸收谱都有这样的共同特点 固体Ar的吸收谱 稀有气固体的激子吸收峰（eV）和部分激子参数 由表中可以看出，从Ne→Xe随着原子量的增加，禁带宽度渐窄，激子束缚能变弱，而激子半径增大。 稀有气固体的激子发射谱 在激子发射谱中，除了观察到自由激子的发射外，更主要的是来自自陷激子的发光 自陷激子来源于自由激子与晶格的相互作用。当自由激子与晶格的相互作用很强时，致使晶格发生畸变，自由激子的能量降低。这种能量的变化超过激子动能后，就会形成激子的自陷态。它可形象地理解为陷入一个微腔中。束缚在微腔中的激子称为自陷激子（STE） 自陷激子又可分为原子型自陷激子（a-STE）和分子型自陷激子（m-STE） 几种稀有气固体的发射谱。图中箭头指示的n,n’=1对应于激子的第一吸收带及相应的自由激子发射带。自由激子发射带的能量对Ar、kr、Xe固体分别是12.1eV, 10.05-10.15eV, 8.18-8.33eV 固体Ne的谱图中却没有自由激子发射带出现。这是因为自由激子和自陷激子之间存在势垒，只有当该势垒足够高时才能观察到自由激子的发射。固体Ne的这一势垒很低，因此从未观察到它的自由激子发射 在自由激子发射带的低能端，我们可以观察到非常强的自陷激子发射 几种稀有气固体的发射谱 闪烁体材料 闪烁现象是指某些物质在高能粒子或射线的作用下，发出脉冲光的现象。这些能发闪烁光的物质称为闪烁体。闪烁体的重要特征是发出的光具有极快的衰减时间（纳秒量级）。 近些年来，人们对碱金属和碱土金属卤化物非常感兴趣，因为这些材料可以产生衰减时间很短的快发光，因此可用作探测高能粒子的闪烁体材料。 BaF2的发射谱 早在1971年，人们就发现了BaF2在300nm处有一个强发射带，衰减时间为0.6?s,可以作为闪烁体材料。直到1982年，人们又发现在X射线激发下，BaF2有一个位于220nm处的更快的发光带，其衰减时间为0.6ns。1987年又观察到在电子束激发下，BaF2还有一个更弱的位于195nm处的发射带，其衰减时间约为0.8ns BaF2晶体的快发光比现有的闪烁体Bi3Ge4O12 (BGO)的发光快三个量级。无疑它是最快的无机闪烁体了 在57.0nm、64.1nm和73.5nm的波长激发下，BaF2晶体的发射谱 BaF2晶体的价带-芯带跃迁 对BaF2的发光机理进行研究后发现，300nm的发光带起源于自陷激子（STE） 而220nm和195nm的发射则起源于价带电子和芯带空穴的复合发光，又称为价带-芯带跃迁或横跨跃迁发光（Crossluninescence） BaF2能级位置及其发光跃迁示意图 BaF2的价带主要由阴离子F-2p电子组成。在足够高能量的光子激发下，阳离子Ba2+5p芯带电子被激发到导带中留下空穴。价带中F-2p电子则跃迁到Ba2+5p芯带与芯带中的空穴复合而产生220nm和195nm的快发光。这种发光有三个特点，一是速度快，二是效率高，三是无温度猝灭。 BaF2价带-芯带跃迁的激发阈值为18eV。很显然，激发价带-芯带跃迁需要的光子能量较高，都在真空紫外区，因而使用同步辐射光源最合适 在10K时，BaF2晶体300nm、220nm、195nm、178nm发射的激发光谱 价带-芯带快发光跃迁的条件 价带-芯带快发光跃迁的条件为第一能隙Eg1（导带与价带间的能隙）的宽度大于第二能隙Eg2（价带与最高芯带的能隙）与价带宽度之和，即Eg1Eg2+?Ev。由图中看出，BaF2的第一能隙Eg1为10.5eV，Eg2与?Ev之和为7.8eV，可以满足这个条件。与BaF2类似的其它碱土金属氟化物，如CaF2、MgF2等由于不能满足以上条件，因此也就无此类价带-芯带跃迁的快发光产生。 发光材料中的量子剪裁 新兴等离子平板显示（PDP）和无汞荧光灯技术的发展推动了VUV激发的高效发光材料的探索。为了提高材料的发光效率，就必须提高其量子效率，即应设法使发光材料每吸