第3章光电式传感器.pptxVIP

3.5 光电传感器 光电管光电倍增管光敏电阻光电二/三极管光电池PIN型硅光电二极管雪崩式光电二极管APD半导体色敏传感器光电闸流晶体管热释电传感器达林顿光电三极管光电耦合器件光导摄像管CCD图像传感器3.5光电传感器 3.5.1 光电管 ?光电管是一个装有光电阴极和阳极的真空玻璃管。图中左边的一种,光电阴极是在玻璃管内壁涂上阴极涂料构成的;右边的一种,光电阴极是在玻璃管内装入涂有阴极涂料的柱面形极板构成的。 光电管的伏安特性 当入射光比较弱时,由于光电子较少,只用较低的阳极电压就能收集到所有的光电子,而且输出电流很快就可以达到饱和; 当入射光比较强时,使输出电流达到饱和,则需要较高的阳极电压。 光电管的工作点应选在光电流与阳极电压无关的饱和区域内。由于这部分动态阻抗(dU/dI)非常大,可以看作恒定电流源,能通过大的负载阻抗取出输出电压。 真空光电管的时间响应特性很好,从光子变换为光电子只需10-12s的时间。占时间比较多的是光电子从阴极到阳极的时间Δt。在外加电压为U,平板电极间隔为d时,Δt值的粗略估算为电子质量如果d是数毫米,U在1000V以上时,那么响应时间可以估算为0.2~0.3ns。 充气光电管的电压-电流特性不具有真空光电管的那种饱和特性,而是达到充气离子化电压附近时,阳极电流急速上升。急速上升部分的特性就是气体放大特性,放大系数为5~10。充气光电管的优点是灵敏度高,但其灵敏度随电压显著变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差。充气光电管的电压-电流特性 3.5.2 光电倍增管光电倍增管是利用二次电子释放效应,将光电流在管内部进行放大。所谓二次电子释放效应是指高速电子撞击固体表面,再发射出二次电子的现象。它由光电阴极、若干倍增极和阳极三部分组成。 倍增极的形状和位置设计得正好能使前一级倍增极发射的电子继续轰击后一级倍增极。从阴极开始及在每个倍增极间依次加上加速电压。设每级的倍增率为δ,经过N个倍增极后,光电倍增管的光电流倍增率将为δN。δ称为二次电子发射比。管内电流放大增益为 ：光电面与第一倍增极间的光电子收集效率~90%倍增极间的外加电压Ud与总增益G的关系可近似：常数倍增器电极间电压与总放大倍数的关系 N就是上面所说的倍增极数图3.17 几种常见光电倍增管的结构 图3.17 几种常见光电倍增管的结构 倍增极的电压是由分压电阻链R1、R2、…、RN+1获得，负载电阻RL的放大电流输出电压。若光电倍增管用来监控连续光源, 使用中往往将电源正极接地,阳极直接接到放大器的输入端。 在脉冲应用时,最好把电源负极接地利于降低噪声，输出可通过电容和下一级放大器耦合。电容器C1、C2等常用来稳定最后几个倍增极在脉冲期间的电压,电容器有助于稳定增益和防止饱和,它们通过电源去耦电容C对脉冲电压接地。一种光电倍增管的特性（25°C时） 3.5.3 光敏电阻 1.光敏电阻的结构原理 光敏电阻的工作原理是基于光电导效应:在无光照时,光敏电阻具有很高的阻值;在有光照时,当光子的能量大于材料禁带宽度,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,激发出可以导电的电子-空穴对,使电阻降低。 光敏电阻具有灵敏度高,光谱响应范围宽,体积小,重量轻,机械强度高,耐冲击,抗过载能力强,耗散功率大,以及寿命长等特点。 2. 光敏电阻的基本特性和主要参数 1) 暗电阻和暗电流 室温条件下,光敏电阻在全暗后经过一定时间测得的电阻值,称为暗电阻。此时在给定工作电压下流过光敏电阻的电流称为暗电流。 光敏电阻在某一光照下的阻值,称为该光照下的亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。 亮电流与暗电流之差称为光电流。 2) 光照特性 光敏电阻的光电流与光强之间的关系,称为光敏电阻的光照特性。不同类型的光敏电阻,光照特性不同。但多数光敏电阻的光照特性类似于图中的曲线形状。 3)光谱特性 光敏电阻对不同波长的光,光谱灵敏度不同,而且不同种类光敏电阻峰值波长也不同。光敏电阻的光谱灵敏度和峰值波长与所采用材料、掺杂浓度有关。 4) 伏安特性 在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系,称为伏安特性。硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线如图所示。由曲线可知,在给定的偏压下,光照度越大,光电流也越大;在一定的光照度下,电压越大,光电流越大,且没有饱和现象。 5) 响应时间和频率特性 在阶跃脉冲光照射下,光敏电阻的光电流要经历一段时间才达到最大饱和值,光照停止后,光电流也要经历一段时间才下降到零。在光电器件中,光敏电阻的响应速度最慢,因此,利用其作开关元件仅适用于低速的情况。 常用时间常数τ来描述响应时间的长短。产品说明中也往往给出时间常数的值,多数光敏电阻时间常数在10-6～1s数量级。实验表明:光敏电阻的响应时间与前历时间有关,在暗处放置时间越长,响应时间越