N沟通增强型场效应管深度图解（1）.pdfVIP

Auuthor: Jackie Loong  场效应应晶体管管详解    场效应晶体体管（Field Efffect Transistoor, FET）简称称场效应管，是一种由多多数载流子参与导 电的的半导体器件件，也称为单单极型晶体管，它主要分型型场效应管 （Junction FEET, JFET)和金属‐ 氧化化物半导体场场效应管（Meetal‐Oxide Seemiconductorr FET,MOSFETT），属于电压压控制型半导导体 器件件，具有输入入电阻高、噪声小、功耗低低、动态范围围大、易于集集成、无二次次击穿现象、安全 工作作范围宽等优优点。  本节我们讲讲解一下N沟沟道增强型MMOS场效应管管，其基本结结构如下图所所示：    如上图所示示，在一块P型硅片（半导导体）衬底 （（Substrate，也也有称为Buulk或Body）上， 形成成两个高掺杂杂的N+区，分分别命名为源源 （Source）区与漏（Draain）区，从中引出的电极极分 别称称为源极（S））与漏极（D）。在P型衬衬底表面覆盖盖薄薄的一层层SiO2 （二氧氧化硅）作为为绝缘 层，叫栅氧化层层或栅绝缘层层，再在上面覆覆盖一层金属属 （现今广泛泛使用多晶硅硅,Poly‐Siliconn）， 其引引出的电极称称为栅极（Gaate, S），这就就是金属‐氧化化物‐半导体(Metal‐Oxide‐‐Semiconducctor) 名称称的由来。    其原理图符符号应如下所所示：     1 All rights reserved, NO Spreading without Authorization  Auuthor: Jackie Loong  从结构上可可以看出，MOS管是完全全对称的，因因此理论上源极S与漏极 D是可以互互换使 用的的。在MOS管管中，源极为为提供载流子子的端子，而而漏极为接收收载流子的端端子，源和漏的命 名也也由此而来，N沟通MOSS管的源极通通常连接至电电路的最低电位位，而P沟通通MOS管的源极 连接接至电路的最最高电位（为为什么？）。   对于单个MMOS场效应管管，衬底B通通常与源极SS连接在一起起，这样两个个电极的电位位是一 致的的，这样可以以避免体效应引起阈值电压压的漂移（后后面会提到），因此，你看看到的MOS场效 应管管符号可能如如下图所示：    这样场效应应管就应该如下图所示：   实际的场效效应管通常把把衬底电极B与源极电极S做在一起，因此，通常常我们是看不不到衬 底电电极的。由于于N区与P型型衬底之间存存在 PN结（也也叫做耗尽层层），因此上上图中已经形形成了 两个个二极管，如如下图所示：    2 All rights reserved, NO Spreading without Authorization