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第二章 射频通信电路基础;4. 半导体元件;肖特基表面势垒及其单向导电特性;面接触型肖特基势垒二极管及其等效电路;肖特基势垒二极管伏-安特性及其应用;变容二极管;变容二极管;PIN二极管—结构;PIN二极管—工作特点;PIN管的等效电路;PIN管作微波开关电路应用举例;甘氏（Gunn）二极管;甘氏二极管结构及等效电路;甘氏二极管产生高频振荡的工作原理;甘氏二极管;甘氏二极管具有负阻效应;甘氏振荡器实际电路举例;双极结型晶体管（BJT）;封装形式的硅双极结型晶体管(BJT)的典型性能;典型的硅双极结型晶体管结构;本征硅双极结型晶体管（BJT）等效混合?型电路模型;封装式的晶体管的等效电路;描述微波双极结型晶体管的主要特性参量;描述微波双极结型晶体管的主要特性参量;微波双极结型晶体管的噪声;异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor, HBT);场效应晶体管(field-effect transistor, FET);封装式GaAs MESFET的典型特性数;典型的贴片式GaAs MESFET的结构;共源结构下GaAs FET的等效电路模型;GaAs FET的fT和fmax;采用异质结的场效应晶体管（HEFT）或高电子迁移率晶体管(HEMT);噪声和工作特性曲线;晶体管的S参数;共基极、共发射极和共集电极y参数之间的转换 ;摩托罗拉MRF962晶体管的S参数数据 ;晶体管的S参数表示;晶体管的S参数表示;晶体管的S参数表示;2.5 非线性器件;2.5 非线性器件;差分对放大器;幂级数描述;分段折线描述;差分放大器;线性化参数;2.5 器件非线性 ;输入端仅有一个有用信号;2. 2. 增益压缩（Gain Compression）;线性 非线性;增益压缩;;2.7.2 输入端有两个以上信号;2.5 非线性器件;基波分量： (仅考虑到 三次方）;1. 堵塞（Blocking） ;2. 交叉调制（Cross Modulation） ;3. 互相调制（Intermodulation） ;互调失真衡量指标;;dB 与 dBm;dB(功率) 10log ;采用dB的优点;;互调干扰在射频系统中出现的形式;2.8 非线性器件在频谱搬移中的应用;理想的频谱搬移电路－－乘法器;非线性器件实现频谱搬移;解决方法：;线性时变工作状态;; 时变静态电流 （静态－－与小信号 无关）;为什么是线性?;;2.9 灵敏度与动态范围;;; 系统的基底噪声越大 要求输出的信噪比越高（输出信号质???好）， 为保证此输出质量所要输入的信号最低电平就越高， 即灵敏度越低。 ;2.9.2 动态范围;已知接收机 ， 求无杂散动态范围的公式;例;作业： 2-15