模拟CMOS集成电路分析和设计总复习.pptVIP

* * CMOS模拟集成电路分析与设计 ——总复习（2010.12） 第一章 绪论 研究模拟电路的重要性 模拟电路设计的难点 研究AIC的重要性 研究CMOS AIC的重要性 电路设计一般概念 抽象级别 健壮性设计 符号约定 1，模拟集成电路的优点 高集成度、高速度、高精度、低功耗、大批量时成本低 2，CMOS相对于双极工艺在模拟集成电路上的优缺点 优点：输入阻抗大，加工成本低，低功耗，易于实现数模混合电路（是实现SOC较佳选择），设计自由度大（小信号特性依赖于器件尺寸和直流偏量，双极只依赖于直流偏量） 缺点：低增益，速度慢（在改善，几十GHz），噪声大（也在改善） 第二章 MOS器件物理基础 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 1，MOSFET基本结构 P9图2.2(包括基本结构的截面图，栅、源、漏、衬底各极，有效长度、宽度，符号等) 2，MOS管源、漏的区分 提供载流子的端口为源，收集载流子的端口为漏 3，MOS管正常工作的基本条件 所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏！ 4，三极管区MOS管I/V特性的推导 P14~15，包括特性曲线，深三极管区特点 5，