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NP2002SR
20V Full-Bridge of MOSFET
Description Schematic diagram
The NP2002 uses advanced trench technology to N-channel P-channel
provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The GN1 D1 GP1
complementary MOSFETs may be used to form a
H-Bridge, and for a host of other applications.
General Features
N-channel：
VDS =20V,ID =3A SN SP
RDS(ON)=32mΩ (typical) @ VGS=4.5V
RDS(ON)=42mΩ (typical) @ VGS=2.5V
GN2 D2 GP2
P-Channel：
V =-20V,ID =-3A N-channel P-channel
DS 5
RDS(ON)=60mΩ (typical) @ VGS=-4.5V 0
Marking and pin assignment
3
RDS(ON)=75mΩ (typical) @ VGS=-2.5V 3
Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) 1
Very low on-resistance RDS(ON) 5
150 °C operating temperature 3
Pb-free lead plating 2
100% UIS tested 8
3
Application 1
:
Complementary MOSFET for DC FAN, Motor
L
Wireless Charging E
T
Package
SOP-8 Note：XXXX is the date code ,
YYYY is the wafer lot number.
Ordering Information
Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel
NP2002SR -55°C to +150°C SOP-8 3000
NP2002SF
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