WM_NP6667d6_E南麟原厂规格书.pdf

下载文档

115
0
约1.37万字
约 5页
2020-03-19 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

WM_NP6667d6_E南麟原厂规格书.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

NP6667D6 N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP6667D6 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features  N-channel： N-CH P-CH VDS =30V,ID =10A Marking and pin assignment RDS(ON)=15mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=19mΩ (typical) @ VGS=4.5V PDFN5×6-8L-B P-Channel： 55 D1 D1 D2 D2 D2 D2 D1 D1 VDS =-30V,ID =-10A 00 33 RDS(ON)=16mΩ (typical) @ VGS -10V 33 RDS(ON)=22mΩ (typical) @ VGS -4.5V 11 NP6667  Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) 55 XXXXX  Very low on-resistance RDS(ON) 33 YYYYY  150 °C operating temperature 22  Pb-free lead plating 88  100% UIS tested 33 S1 G1 S2 G2 G2 S2 G1 S1 11 Top View Bottom View :: Application LL Note：  Pch+Nch Complementary MOSFET for DC-FAN XXXX is the date code , EE HF Pb  H-Bridge