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NP6606D2
18V N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description Schematic diagram
This MOSFET is designed to minimize the on-state
resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching
performance, making it ideal for high efficiency power
management applications.
General Features
N-channel：
VDS =18V,ID =5A
RDS(ON)=21mΩ (typical) @ VGS=4.5V
RDS(ON)=26mΩ (typical) @ VGS=2.5V
P-Channel： Marking and pin assignment
VDS =-18V,ID =-4A 5DFN2*2-6L-A
RDS(ON)=45mΩ (typical) @ VGS=-4.5V 0
TOP VIEW BOTTOM VIEW
3
RDS(ON)=60mΩ (typical) @ VGS=-2.5V 3
High power and current handing capability D1 G2 S2
1
Lead free product is acquired 5 6 5 4 D2
Surface mount package 3
2 6606
Application 8
PWM applications 3 1 2 3
Load switch 1 S1 G1 D2 D1
: Pin1
L
Package E Note：
DFN2*2-6L-A T 6606—NP6606D2
Ordering Information
Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel
NP6606D2-G -55°C to +150°C DFN2*2-6L-A 4000
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unl
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