NP4842sr_E南麟原厂规格书.pdf免费

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2020-03-19 发布于广东
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NP4842SR 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP4842SR uses advanced trench technology to D1 D2 provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. G1 G2 General Features S1 S2  VDS =30V,ID = 10A RDS(ON)=20mΩ (typical) @ VGS=10V Marking and pin assignment RDS(ON)=28mΩ (typical) @ VGS=4.5V  Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) SOP-8  Very low on-resistance RDS(ON) (TOP VIEW)  150 °C operating temperature 5  Pb-free lead plating 0 S2 1 8 D2  100% UIS tested 3 N 3 2 7 G2 D2 Application Y X P Y X 4 1 S1 3 Y X 8 6 D1 5 Y X 4 2  DC/DC Conver