WM_NP4575G_E南麟原厂规格书.pdf免费

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2020-03-19 发布于广东
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NP4575G 45V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP4575G uses advanced trench technology D to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.It can be used in a wide variety of applications. G General Features  VDS =45V ID =75A S RDS(ON)(Typ.)=6.2mΩ @VGS=10V RDS(ON)(Typ.)=7.2mΩ @VGS=4.5V Marking and pin assignment  High density cell design for ultra low Rdson  Fully characterized avalanche voltage and current TO-252-2L  Good stability and uniformity with high EAS （Top View ）  Excellent package for good heat dissipation 55  Special process technology for high ESD capability 00 33 G Application 33 5 7 5 X 4 X Y P X Y 11 N X Y Y  Automotive applications 55  Hard switched and high frequency circuits 33  Uninterruptible power supply 22 88 Package 33 NP4575G—Product Name  TO-252-2L