MEM6N70-E2.0微盟原厂规格书.pdf

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2020-03-20 发布于广东
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MEM6N70 N-CHANNEL POWER MOSFET MEM6N70 General Description Features The MEM6N70 is a high voltage and high current ● 700V，6A power MOSFET, designed to have better ● RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V characteristics, such as fast switching time, low gate ● LOW Crss charge, low on-state resistance and have a high ● Fast Switching ● Avalanche energy specified rugged avalanche characteristics. This power ● PACKAGE :TO251,TO251S,TO252,TO-220F MOSFET is usually used at high speed switching applications in powersupplies, PWM motor controls, 5 0 high efficient DC to DC converters and bridge circuits Pin Configuration 3 3 . 1 Pin Configuration 5 3 2 8 3 1 : L L A MEM6N70THDG MEM6N70THG MEM6N70K3G MEM6N70A3G C Maximum Ratings(Ta=25℃) Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Voltage VDSS 700V V Gate-Source Voltage VGSS ±30 V T =25℃