射频电路设计(第七章).pptVIP

射频电路设计;目 录;第七章有源射频元件;;7.1二极管模型;引入温度的变化关系，发现： 热电压：VT=KT/q 反向饱和电流：;7.1二极管模型;当温度改变，且偏置电流IQ保持常数时，出带隙能Wg、饱和电流Is都随温度变化，偏置电压也改变。计算结果如下表，而相应的二极管阻抗的频率特性如上图（DC偏置条件影响电容和电阻，从而影响AC特性。）;多年来，已经开发出一系列大信号和小信号双极和单极晶体管模型。扩展到RF-MW频率和高功率应用的需求时，必须考虑许多重要的二级效应，诸如低电流和高注入现象。故须以改进的BJT电路表述。 7．2．1 大信号BJT模型 静态Ebers-Moll模型(最流行的大信号模型之一),对于理解基本的模型要求和把它扩展到更为复杂的大信号模型，以及导出大多数小信号模型，它是不可缺少的。图7．4表示出一般的NPN晶体管连同在所谓注入方案下相关联的Ebers-Moll电路模型。;图7．5概括了这两种工作模式，此时发射极选为公共参考点。;;7．2晶体管模型;图7.11给出一典型的βF曲线。 两个漏泄二极管LI，L2提供了4个新的设计参量：Is1,nEL，它们是对于低电流正常模式工作时， 在公式 中的两个系数， Is2,ncL ，它们是对于低电流反向模式工作时，在公式