第十一章MOSFET概念深入.pptVIP

  • 5
  • 0
  • 约1.78千字
  • 约 66页
  • 2020-03-24 发布于浙江
  • 举报
第11章 MOSFET概念的深入;11.1 非理想效应 亚阈值电流: 定义;11.1 非理想效应 亚阈值电流: 定义;npn结的能??图;11.1 非理想效应 亚阈值电流: 比较;11.1 非理想效应 亚阈值电流: 电压特性;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:机理;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型1;边界条件:x= -xp时,E=0;11.1 非理想效应;11.1 非理想效应;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型1;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型2;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型2;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型2;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:影响因素;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:影响因素;11.1 非理想效应 沟道长度调制效应:影响因素;11.1 非理想效应 迁移率变化:纵向电场的影响(1);11.1 非理想效应 迁移率变化:纵向电场的影响(2);11.1 非理想效应 迁移率变化:漂移速度与电场的关系;11.1 非理想效应 迁移率变化:Si的情形;11.1 非理想效应 迁移率变化:速度饱和效应;11.1 非理想效应 迁移率变化:速度

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档