模拟电(第五版)课件_康华光第五章.pptVIP

5 场效应管放大电路;P沟道;5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;2. 工作原理;当vGS一定（vGS VT ）时，;预夹断后，vDS?;2. 工作原理;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.4 沟道长度调制效应;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.1.5 MOSFET的??要参数;5.2 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;假设工作在饱和区;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;5.3 结型场效应管;5.3.1 JFET的结