光刻胶涂布与曝光.pptVIP

光刻胶涂布与曝光 正光阻 负光阻 分辨率高 分辨率低 黏结能力差 黏结能力好 与mask暗场图形一致 与mask亮场图形一致 成本高 成本低 光刻胶分类 EH GF2结构采用正性干膜光刻胶 莱宝 GG结构采用正性湿膜光刻胶 曝光机理 GF2结构使用干膜光刻胶，采用双面热压roller形式上胶。 膜厚在线不可调控，膜厚由DFR决定，EH 1st DFR 厚度15um，2nd DFR 厚度 30um，不易产生针孔，分辨率低，工艺制程简单。 GG使用湿膜光刻胶，采用单面压辊或刮刀涂布方式上胶。 膜厚在线可通过走速/抽泵强度调控，厚度1.4um~2.3um,易产生针孔，分辨率高，工艺制程复杂，涂布后需软烘烤后才能曝光。 涂布方式 GF2结构 主要控制参数：压辊温度，压辊压力 主要品质问题：气泡，异物，附着不良 GG结构 主要控制参数：涂布速度，抽泵频率，压辊压力 主要品质问题：膜厚不均，针孔，异物 主要控制参数及品质 GF2结构 1st exposure:双面接近式曝光，分辨率低，不易造成产品缺陷及mask划伤，6个对位镜头，双面同时对位 2nd exposure:双面接触式曝光，分辨率低，易造成产品缺陷及mask划伤，4个对位镜头，双面同时对位 GG结构 单面接近式曝光，分辨率低，不易造成产品缺陷及mask划伤， 2个对位镜头，单面对位 曝光方式 GG对位方式 （Glass stage 校准） mask glass 铬版mask（石英基板） 对320-450nm波长有很好的透过率，变形尺寸小，精度高5um,成本高 干版mask （钠钙玻璃基板） 对320-450nm波长有较好的透过率，变形尺寸小，精度较高20um 菲林 对320-450nm波长有的透过率低，变形尺寸大，精度较高30um Mask 分类 EH GF2结构：1st exposure支持玻璃mask及菲林，2nd exposure 只支持菲林 莱宝 GG结构：使用铬版mask 主要控制参数及品质 主要控制参数：曝光强度，曝光gap, 曝光时间 主要品质问题：曝光不均，异物，过曝光，曝光不足 Mask cleaner (Mask repair) 光强测试仪 附属设备 The End