第五章场效应管放大电路(2).pptVIP

5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 高频小信号模型 Cgd栅漏电容 Cgs栅源电容 Cgb栅极-衬底电容 Cds漏源电容 这里源极与衬底短接，没考虑Cbs和Cbd 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） 假设工作在饱和区 满足 解： 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s 共 源电路属于倒相电压放大电路 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） NMOS源极跟随器 共漏 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 vgs=-vt 分压式偏置电路 (1) 静态分析 估算法： 将已知的VP、IDSS代入上两式，解出UGS、ID。 由 UDS= UDD – ID(RD+ RS) 解出UDS 列出静态时的关系式。 流过 RG 的电流为零 RG1、RG2为分压电阻，电阻RG中并无电流通过 电阻RG作用？ (2) 动态分析 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻 RG是为了提 高输入电阻 ri 而设置的。 场效应管的输入电阻rgs很高 RG的接入对放大倍数无影响，在静态时无电流通过，不影响工作点。RG阻值很大，使得不至于因为RG1和RG2的接入导致输入电阻降低很多 耗尽型源极输出器（共漏） 电压放大倍数 特点与晶体管的射极输出器一样。 (1) 场效应管放大器输入电阻Ri很大。 (2) 场效应管共源极