半导体照明技术：第六章半导体照明光源发展和特征参量.pptVIP

第六章 半导体照明光源的发展和特征参量 6.2 发光二极管材料生长方法 6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 AlGaInP采用的GaAs衬底是吸光材料；InGaN采用的Si衬底也是吸光材料，造成光效的损失。 解决衬底吸光问题的一个方法是采用分布布拉格反射（Distributed Bragg Reflector, DBR）结构 6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 越大，反射率就越高，须要的DBR层数就越少 6.3.3 分布布拉格反射（DBR）结构 采用14.5对的 Al0.82In0.18N/GaN DBR结构，InGaN LED的发光提高了3.6倍 *phys. stat. sol. (c) 5, No. 6, 2086–2088 (2008) 6.3.4 透明衬底技术 透明衬底技术可有效的提高光输出，AlGaInP LED在636nm时获得23.7%的外量子效率 6.3.5 镜面衬底 镜面衬底技术：将芯片倒装或转移到另一表面镀有高反射界面的衬底上，以提高出光 Appl. Phys. Lett., Vol. 78, 3379-3381， 2001 435nm外量子效率：21% 出光提到了122% APPLIED PHYSICS LETTERS 100, 241112 (2012) 电流扩展层 电流扩展层 P型层电阻较高，电极的电流注入无法均匀的扩散