半导体制造工艺_01晶体生长.pptVIP

半导体制备工艺原理 第一章 晶体生长 半导体器件与工艺 一、衬底材料的类型 元素半导体 Si、Ge…. 2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN… 二、对衬底材料的要求 导电类型：N型与P型都易制备； 电阻率：0.01-105?·cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）； 寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命； 开关器件—短寿命； 晶格完整性：低位错（1000个/cm2）； 纯度高：电子级硅（EGS） --1/109杂质； 晶向：Si:双极器件--111；MOS--100； 直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。 Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术； Ge： 漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)； 工作温度低，75℃（Si:150℃）； GeO2易水解（SiO2稳定）； 本征电阻率低：47 ?·cm（Si: 2.3x105 ?·cm）； 成本高。 Si 的基本特性: FCC 金刚石结构，晶格常数a=5.431 ? 间接带隙半导体， 禁带宽度 Eg=1.12eV 相对介电常数， ?r=1