集成电路后端的设计简介.pptVIP

金属线从管子中间穿过的水平走向MOS管结构 金属线从管子上下穿过的水平走向MOS管结构 有多晶硅线穿过的垂直走向MOS管结构 与非门和或非门电路 二输入与非门 电路图如下： 与非门和或非门电路 与非门工作原理： 对于与非门，当INA（INB）为低电平时，M2（M1）导通，M3（M4）截止，形成从VDD到输出OUT的通路，阻断了OUT到地的通路。这时相当于一个有限的PMOS管导通电阻（称为上拉电阻）和一个无穷大的NMOS管的截止电阻（尽管有一个NMOS管在导通态，但因为串联电阻值取决于大电阻，从OUT看进去的NMOS管电阻仍是无穷大）的串联分压电路，输出为高电平（VDD）。如果INA和INB均为高电平，使得两个NMOS管均导通，两个PMOS管均截止，形成了从OUT到地的通路，阻断了OUT到电源的通路，呈现一个有限的NMOS导通电阻（称为下拉电阻，其值为单个NMOS管导通电阻的两倍）和无穷大的PMOS管截止电阻的分压结果，输出为低电平。 与非门和或非门电路 二输入或非门电路图如下： 与非门和或非门电路 或非门工作原理： 对于或非门，由类似的分析可知，当INA和INB同时为低电平时，分压的结果使得输出为高电平，当INA和INB有一个为高电平或两个都为高电平时，MOS管电阻分压的结果是输出为低电平。只不过两个NMOS管全导通时（并联关系）的等效