第三章场效应管放大电路(0001).pptVIP

第三章 场效应管及放大电路; 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。它不仅体积小、重量轻、耗电省、寿命长，且输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单，因而应用广泛。;金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(SemiConductor)场效应管(MOSFET),FET只有一种载流子(电子或空穴)导电，它为单极型器件，而三极管是双极性。;3.1.1 N沟道增强型MOSFET; ;⑵ vGS≥VT时，出现N型沟道; vGS越大，则吸引到P型硅表面的电子就愈多，感生沟道将愈厚，沟道电阻的阻值将愈小。;⑶ 可变电阻区和饱和区的形成机制;s;s;⒊ V-I 特性曲线及大信号特性方程;② 可变电阻区;③ 饱和区（恒流区、放大区）;⑵ 转移特性 ;⒈ 结构和工作原理简述; 因此在栅源电压为零时，在正的vDS作用下，也有较大的漏极电流iD由漏极流向源极。;⒉ V-I 特性曲线及大信号特性方程;2;3.1.3 P沟道MOSFET; P沟道增强型MOS管沟道产生的条件为：vGS≤VＴ。;3.1.4 沟道长度调制效应;3.1.5　四种 MOS 场效应管比较; 饱和区(放大区)外加电压极性及数学模型; 临界饱和工作条件; FET 直流简化电路模型(与三极管相对照) ;3.1.6　小信号电路模型; MOS 管跨导; 计及衬底效应的