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半导体物理;;绪 论;什么是半导体？;元素半导体：Si，Ge（IV族） III-V族半导体：GaAs, InP 化合物半导体 II-VI族半导体：ZnS IV-IV族半导体：SiC;半导体的主要性质;（4）磁敏感特性;微电子器件原理;本课程讨论的主要对象 —典型的半导体(Si,Ge,GaAs, ……) 本课程讨论的基本问题— ? 材料的基本物理性质: 晶体结构;能带结构;电子基本运动状态; (固体物理、第一章) ? 半导体中的载流子(电子,空穴)及其运动状态: p型,n型半导体; 电场,磁场中的载流子; 非平衡载流子; (第二、三、四、五章) ? 器件物理基础: PN结; M/S接触;MOS结构; (第六、七、八、九章) ? 半导体传感器基础:光电；热电；磁电；压阻 （第十、十一、十二章） ; 物理 (对物理问题更深入,更专门的讨论): 高等半导体物理; 半导体理论; 半导体表面物理; 非晶态半导体物理; 半导体光学 …… 材料 (材料性质,应用的物理模型,材料制备,新材料的研制): 体材料; 薄膜材料; 微结构材料; 人工设计材料;……; 器件 (器件物理; 器件原理; 器件工艺): 电子器件(双极型器件,MOS器件,各种特种器件); 光电子器件(激光器,发光管,光电转换器件); 其他各种效应的应用(热电,压电 ……) 半导体集成电路— 集成电路原理及其设计(线路设计,版图设计,工艺设计); 集成电路中的物理问题,材料问题……;一些具体问题的说明;教材及主要参考书 ;第一章 半导体中的电子状态;1 氢原子电子状态 2 多电子原子的电子状态 与氢原子一样是量子化的，电子状态取决于四个量子数 （1）量子数（n, l, ml, ms） （2）简并度（能级可能有的微观状态） （3）电子填充（泡利不相容原理和能量最低原理）;§1.1半导体中的电子状态和能带§1.1.2 晶体中的电子状态;§1.1半导体中的电子状态和能带§1.1.2 晶体中的电子状态;§1.1半导体中的电子状态和能带§1.1.2 晶体中的电子状态;§1.1半导体中的电子状态和能带 §1.1.3 电子在周期场中的运动——能带论;§1.1半导体中的电子状态和能带 §1.1.3 电子在周期场中的运动——能带论;§1.1半导体中的电子状态和能带 §1.1.3电子在周期场中的运动——能带论;§1.1半导体中的电子状态和能带 §1.1.3电子在周期场中的运动——能带论;§1.1半导体中的电子状态和能带 §1.1.3电子在周期场中的运动——能带论;例题：一维周期势场中电子的波函数应当满足布洛赫定理。如果晶格常数为a，电子波函数为 求电子在这些态中的波矢;§1.2 克龙尼克-潘纳模型;整理可得;§1.2 克龙尼克-潘纳模型;§1.2 克龙尼克-潘纳模型 §1.2.1 克龙尼克-潘纳模型;§1.2 克龙尼克-潘纳模型;能带理论的应用; 能带（energy band）包括允带和禁带。 允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。 禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。 ;用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性：;金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导电体 半导体和绝缘体的能带类似，即下面是已被价电子占满的满带（其下面还有为内层电子占满的若干满带），亦称价带，中间为禁带，上面是空带。因此，在外电场作用下并不导电，但是这只是绝对温度为零时的情况。 半导体中导带的电子和价带的空穴参与导电，这是与金属导体的最大差别。 绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，在通常温度下，能激发到导带中的电子很少，所以导电性很差。; 半导体禁带宽度比较小，数量级在1eV左右，在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去，所以具有一定的导电能力，这是绝缘体和半导体的主要区别。 室温下，金刚石的禁带宽度为6～7eV，它是绝缘体；硅为1.12eV，锗为0.67eV，砷化镓为1.43eV，所以它们都是半导体。 ;§1.3 半导体中电子（在外力下）的运动 有效质量;;即：f合＝f外+f内;（2）有效质量 ;（1）电子运动速度;（3）加速度a及;用泰勒级数展开可以近似求出极值附近的E(k)与k的关系 以一维情况为例，设能带底位于k＝0，将E(k)在k＝0附近按泰勒级数展开，取至k2项，得到;§1