第四章场效应管放大电路.pptxVIP

场效应管;4.1 结型场效应管;;P 沟道场效应管;4.1.2工作原理;　　1. 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电源 UGS，改变 UGS 大小。观察耗尽层的变化。;　　2. 在漏源极间加正向电压 UDS 0，在栅源间加负电源 UGS，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。;;4.1.3特性曲线;1. 转移特性;;;4.2　绝缘栅型场效应管;4.2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管;2. 工作原理;;(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT);D;3. 特性曲线;4.2.2 N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;图 4-14 MOS场效应管电路符号 ;种 类;种 类;4.3　场效应管的主要参数; 3. 开启电压UT  UT是增强型场效应管的重要参数, 它的定义是当UDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。 ?;4.3.2 交流参数 1. 低频跨导gm ;图4-15 根据场效应管的特性曲线求gm ; 2. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好。 一般为几个pF。 ;4.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、UDS有如下关系: ;