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AP40N20MP
200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
The AP40N20MP is silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency.
General Features
VDS =200V,ID =40A
RDS(ON) 80mΩ@ VGS=10V
Application
Power amplifier
motor drive
Package Marking and Ordering Information
Product ID Pack Marking Qty(PCS)
AP40N20MP TO-247-3 Plus AP40N20MP XXX YYYY 1000
Absolute Maximum Ratings T = 25ºC, unless otherwise noted
C
Symbol Parameter Value Unit
VDSS Drain-Source Voltage 200 V
ID Drain Current -continuous 40 A
IDM Drain Current -pulse 120 A
VGSS Gate-Source Voltage ±30 V
EAS Single Pulsed Avalanche Energy 588 mJ
IAR Avalanche Current 40 A
EAR
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