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AP12H02TS
20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
The AP 12H02TS uses advanced trench
technology to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge . The complementary MOSFETs may be used to
form a level shifted high side switch, and for a host of other
applications
General Features
N-Channel
V = 20V,I 12A
DS D
RDS(ON) 11mΩ@ VGS 4.5V
NChannel
V = 20V,I 12A
DS D
RDS(ON) 11mΩ@ VGS 4.5V
High power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface mount package
Application
● Power switching application
● Hard Switched and High Frequency Circuits
● Uninterruptible Power Supply
o
Absolute Maximum Ratings@T =25 C(unless otherwise specified)
j
Symbol Parameter Rating Units
VDS Drain-Source Voltage 20 V
VGS Gate-Source Voltage +12 V
I @T =25℃ Drain Current, VGS @ 4.5V 12 A
D C
I @T =100℃ Drain Current, VGS @ 4.5V 7 A
D C
I @T =25℃ Drain Current, VGS @ 4.5V3 10 A
D A
I @T =70℃ Drain Current, VGS @ 4.5V3
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