电源开关规格书AP8814A 8.0A 20V SOT23-6.pdfVIP

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AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D 1 D 2 The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and G 1 G 2 operation with gate voltages as low as 2.5V. This S 1 S2 device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS D RDS(ON) 17mΩ @ VGS 4.5V RDS(ON) 22mΩ @ VGS 2.5V Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP8814A SOT23-6 8814A 3000 Absolute max Rating: (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V I 8 A

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