VASP用VASP46计算晶体硅能带实例用第一原理计算和其它方法研究纳米体系碳纳米管等的电子和自旋结构.ppt

VASP;Introduction;Introduction;P. 3;P. 4;INCAR 文件： ;?Electronic Relaxation 1?? NELM?? =???? 90;?? NELMIN=? 8; NELMDL= 10???? # of ELM steps?? EDIFF? = 0.1E-03?? stopping-criterion for ELM?? LREAL? = .FALSE.???? real-space projection Ionic relaxation?? EDIFFG = 0.1E-02?? stopping-criterion for IOM?? NSW??? =????? 0??? number of steps for IOM?? IBRION =????? 2??? ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG?? ISIF?? =????? 2??? stress and relaxation ; POTIM? =?? 0.10??? time-step for ionic-motionTEIN?? =??? 0.0??? initial temperature ?TEBEG? =??? 0.0;?? TEEND? =?? 0.0 temperature during run ?DOS related values:?? ISMEAR =??? 0 ;?? SIGMA? =?? 0.10? broadening in eV -4-tet -1-fermi 0-gaus ?Electronic relaxation 2 (details) ?Write flags?? LWAVE? =????? T??? write WAVECAR?? LCHARG =????? T??? write CHGCAR ;SYSTEM = Si?Startparameter for this run:?? PREC?? = medium??? medium, high low?? ISTART =????? 0??? job?? : 0-new? 1-cont? 2-samecut?? ICHARG =????? 2?? charge: 1-file 2-atom 10-const?? EDIFF? = 0.1E-03?? stopping-criterion for ELM?? NSW??? =????? 0??? number of steps for IOM?? IBRION =????? 2??? ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG?? ISIF?? =????? 2??? stress and relaxation;采用自动的Monkhorst-Pack K点撒取方式。对于类似于硅晶体的 半导体材料，通常 4x4x4 的K点网格就够了。 ;P. 11;P. 12;P. 11;P. 5;第一行就是K点的倒空间的坐标，接下来的8行告诉我们在那个K点上的8个能级。你可以通过EXCEL或者ORIGIN之类的画图软件可视化结果。由于现在手头上已经有了每个K点的能级信息，则将这些K点的能级连接起来就是所需要的能带图了。下图是用以上步骤算得的硅的能带图。我们可以看到硅并非是直接能隙的材料。同时，由于我们用了LDA，所以硅的能隙和实验相比大大被低估了（实验为1.12eV，计算值~0.6eV）。 ;P. 5;单层碳纳米管的磁输运特性 Properties of magnetic transport in single-walled carbon nanotubes 曾晓英　 张振华　 彭景翠　 陈小华　 摘　要：依据磁场中Boltzmann输运方程及单层磁纳米管(SWNTs)的能量色散关系,对单个SWNTs中轴向磁场诱发的低温磁阻进行了数值计算.分析表明:当电子以低能输运时,SWNTs的磁阻有明显的Aharonov-Bohn(A-B)效应,与并SWNTs的能隙相对应.关键词：单层磁纳米管;Boltzmann方程;能量色散关系;磁阻;A-B效应分类号：O481.0 　文献标识码：A文章编号：1000-0364(2019)01-0027-04 ;P. 5;P. 5;硅纳米线价带顶部和导带底部的Partial Charge如下： ;1、《纳米材料和纳米结构》 张立德 解思深 2、《美国科学院报告 - 材料科学技术所面临的挑战》 3、《MD(分子动力学）入门教程》 4、《计算材料科学中的模型、算法和多尺度关联》 5、wangzhonglin《 Nanoscience and Nanotec