模拟电子技术基础2.7 场效应管放大电路.pptxVIP

模拟电子技术基础;2.7.1　场效应三极管;N沟道;;P 沟道场效应管;（一）结型场效应管工作原理;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。;;3.当uGD uGS(off),时， , uGS 对漏极电流iD的控制作用;小结;（二）结型场效应管的特性曲线;;2. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例); 转移特性;＊　结型P 沟道的特性曲线;（二）　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;I.N 沟道增强型 MOS 场效应管;1 工作原理;;(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT);D;3. 特性曲线与电流方程;II、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;III、P沟道MOS管;种 类;种 类;三、　场效应管的主要参数;（二）交流参数;（三）极限参数;例;解;从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图);;;场效应管与晶体管比较;场效应管是电压控制电流元件，具有高输入阻抗。;静态工作点的设置及分析;2.7.3场效应管放大电路的静态工作点的设置方法;静态分析－－ UGSQ 、 IDQ　 UDSQ; (二