模拟电子技术基础1.2-半导体二极管XJD.pptxVIP

引线阳极引线外壳铝合金小球PN结触丝金锑合金N型锗片N型硅底座阴极引线平面型点接触型1.2 半导体二极管1.2.1 半导体二极管的结构和类型 正极正极负极负极符号外型半导体二极管的外型和符号硅管锗管平面型点接触型半导体二极管的类型(1) 按使用的半导体材料不同分为(2) 按结构形式不同分为uDiD正向特性正向特性00. 8反向特性0. 80击穿特性反向特性硅管锗管1.2.2 半导体二极管的伏安特性 iD正向特性死区电压uDO击穿电压U(BR)硅管0.5 V反向特性锗管0.1 V1．正向特性(1) 近似呈现为指数曲线，即(2) 有死区（iD≈0的区域)死区电压约为iD正向特性死区电压硅管0.6~0 .8 V管压降uD 约为uD锗管0.2~0.3 VO击穿电压U(BR)硅管0.7 V反向特性通常近似取uD 锗管0.2 V(3) 导通后（即uD大于死区电压后）即 uD略有升高， iD急剧增大。时，(1) 当iD。正向特性死区电压IS=uDO击穿电压U(BR)反向特性2．反向特性 硅管小于0.1微安锗管几十到几百微安(2) 当时，iD正向特性死区电压uDO击穿电压U(BR)反向特性根据击穿可逆性分为反向电流急剧增大，二极管发生反向击穿。击穿的类型电击穿热击穿硅管150∽200oC锗管75∽100oC电击穿二极管发生反向击穿后，如果a. 功耗PD( = |UDID| )不大b. PN结