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comsol案例——肖特基接触 comsol案例——肖特基接触 comsol案例——肖特基接触 肖特基接触 本篇模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想肖特基势垒二极管的行为。将从正向偏压下的模型获得的所得J-V（电流密度与施加电压）曲线与文献中发现的实验测量进行比较 介绍当金属与半导体接触时，在接触处形成势垒。这主要是金属和半导体之间功函数差异的结果。 在该模型中，理想的肖特基接触用于对简单的肖特基势垒二极管的行为进行建模。使用“理想”这个词意味着在这里，表面状态，图像力降低，隧道和扩散效在界面处计算半导体与金属之间传输的电流应被忽略。O0ftmYY。 注意，理想的肖特基接触的特征在于热离子电流，其主要取决于施加的金属 - 半导体接触的偏压和势垒高度。这些接触通常发生在室温下掺杂浓度小于1×1016 cm-3的非简并半导体中。mUq28ZS。 模型定义该模型模拟钨 - 半导体肖特基势垒二极管的行为。 图1显示了建模设备的几何形状。 它由n个掺杂的硅晶片（Nd = 1E16cm-3）组成，其上沉积有钨触点。 该模型计算在正向偏压（0至0.25V）下获得的电流密度，并将所得到的J-V曲线与参考文献中给出的实验测量进行比较。 该模型使用默认的硅材料属性以及? 一个理想的势垒高度由下列因素定义： ΦB=Φm-χ0