光致发光(PL)光谱讲解学习.pptVIP

一、光致发光基本原理 1. 定义：所谓光致发(Photoluminescence)指的是以光作为激励手段，激发材料中的电子从而实现发光的过程。它是光生额外载流子对的复合过程中伴随发生的现象 2. 基本原理：由于半导体材料对能量高于其吸收限的光子有很强的吸收，吸收系数通常超过104cm-1，因此在材料表面约1μm厚的表层内，由本征吸收产生了大量的额外电子-空穴对，使样品处于非平衡态。这些额外载流子对一边向体内扩散，一边通过各种可能的复合机构复合。其中，有的复合过程只发射声子，有的复合过程只发射光子或既发射光子也发射声子 e-h e-h 声子参与 e-A D-h e-D+ D-A (a) (b) (c) 图1 半导体中各种复合过程示意图（a）带间跃迁（b）带－杂质中心辐射复合跃迁（c）施主－受主对辐射复合跃迁 在这个过程中，有六种不同的复合机构会发射光子，它们是： （1）自由载流子复合 —— 导带底电子与价带顶空穴的复合； （2）自由激子复合 —— 晶体中原子的中性激发态被称为激子，激子复合也就是原子从中性激发态向基态的跃迁，而自由激子指的是可以在晶体中自由运动的激子，这种运动显然不传输电荷； （3）束缚激子复合 —— 指被施主、受主或其他陷阱中心(带电的或不带电的)束缚住的激子的辐射复合，其发光强度随着杂质或缺陷中心的增加而增加； （4）浅能级与本征带间的载流子复合