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《大学物理(下)》期末考试( A 卷)
一、选择题 (共 27 分)
(本题 3 分)
4 A 的电线 1 m 处的磁感强度的大小为
距一根载有电流为 3× 10
- 5 T. (B) 6× 10- 3 T.
(A) 3× 10
- 2T. (D) 0.6 T.
(C) 1.9× 10
(已知真空的磁导率 0 =4 × 10 · m/A) [ ]
-7 T
(本题 3 分)
一电子以速度 v 垂直地进入磁感强度为 B 的均匀磁场中,此
B v
电子在磁场中运动轨道所围的面积内的磁通量将
2. (B) 反比于 B,正比于 v2.
(A) 正比于 B,反比于 v
(C) 正比于 B,反比于 v. (D) 反比于 B,反比于 v.
[ ]
(本题 3 分)
有一矩形线圈 AOCD,通以如图示方向的电流 I,将它
y
置于均匀磁场 B 中,B 的方向与 x 轴正方向一致, 线圈平面
A
n
D
I
与 x 轴之间的夹角为 , 90° .若 AO 边在 y 轴上,且
O
x
B
线圈可绕 y 轴自由转动,则线圈将
C
z
(A) 转动使 角减小.
(B) 转动使 角增大.
(C) 不会发生转动.
(D) 如何转动尚不能判定. [ ]
(本题 3 分)
如图所示,M、N 为水平面内两根平行金属导
轨,ab 与 cd 为垂直于导轨并可在其上自由滑动的
M
B
d
b
两根直裸导线. 外磁场垂直水平面向上. 当外力使
N
ab 向右平移时, cd
c a
(A) 不动. (B) 转动.
(C) 向左移动. (D) 向右移动.[ ]
(本题 3 分)
如图,长度为 l 的直导线 ab 在均匀磁场 B 中以速
b
l
度v 移动,直导线 ab 中的电动势为
(A) Blv. (B) Blv sin .
(C) Blv cos . (D) 0. [ ]
a v
B
(本题 3 分)
已知一螺绕环的自感系数为 L.若将该螺绕环锯成两个半环式的螺线管,则
两个半环螺线管的自感系数
1
(A) 都等于 L
2
1
. (B) 有一个大于 L
2
1
,另一个小于 L
2
.
1
(C) 都大于 L
2
1
. (D) 都小于 L
2
. [ ]
(本题 3 分)
在双缝干涉实验中, 屏幕 E 上的 P 点处是明条纹. 若
将缝 S2 盖住,并在 S1 S2 连线的垂直平分面处放一高折射
S1
P
率介质反射面 M,如图所示,则此时
S
(A) P 点处仍为明条纹.
S2
M
(B) P 点处为暗条纹.
(C) 不能确定 P 点处是明条纹还是暗条纹.
E
(D) 无干涉条纹. [ ]
(本题 3 分)
在单缝夫琅禾费衍射实验中,若增大缝宽,其他条件不变,则中央明条纹
(A) 宽度变小.
(B) 宽度变大.
(C) 宽度不变,且中心强度也不变.
(D) 宽度不变, 但中心强度增大. [ ]
(本题 3 分)
若用衍射光栅准确测定一单色可见光的波长, 在下列各种光栅常数的光栅中
选用哪一种最好?
- 1 mm. (B) 1.0× 10- 1 mm.
(A) 5.0× 10
- 2 mm. (D) 1.0× 10
(C) 1.0× 10
-3 mm. [ ]
(本题 3 分)
下述说法中,正确的是
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电, 而杂质半导体 (n 型
或 p 型)只有一种载流子 (电子或空穴 )参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质
半导体好.
(B) n 型半导体的导电性能优于 p 型半导体, 因为 n 型半导体是负电子导电,
p 型半导体是正离子导电.
(C) n 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带 (导带)的底部,使局部
能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
(D) p 型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动. [ ]
二、填空题(共 27 分)
11 (本题 3 分)
一根无限长直导线通有电流 I,在P 点处被弯成了一个半径
为 R 的圆,且 P 点处无交叉和接触,则圆心 O 处的磁感强度
O
R
I
大小为______________________________________,_ 方向为
P _____________________________._
(本题 3 分)
图示为三种不同的磁介质的 B~H 关系曲线,其中虚
B a
线表示的是 B = 0H 的关系.说明 a、b、c 各代表哪一
类磁介质的 B~H 关系曲线:
b
a代表______________________________的 B~H 关
系曲线.
c
0 H
b代表_____________________________的_ B~H 关
系曲线.
c 代表_
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