半导体光电子学第五章第九章知识讲解.ppt

第五章 半导体激光器的性能 ;5.1 LD的阈值特性 5.2 LD的效率 5.3 LD的远场特性 5.4 LD的模式特性 5.5 LD的光谱线宽 5.6 LD的瞬态特性 5.7 LD的退化和失效;5.1 LD的阈值特性;;;二、LD的几何尺寸（有源区d，w，l）对阈值电流密度的影响;;;;名义电流：d=1μm时，有源区内全部用来产生辐射复合所需要的电流密度 ;;;3. Jth与腔长的关系 ;;三、温度对阈值电流的影响 ;;四、阈值特性关系小结 1、低维量子材料 2、增益介质 3、侧向折射率波导; 作业: 教材181页第1、2题 另：1、半导体激光器的性能可以分为哪两种？各包含哪些具体的特性？ 2、半导体激光器的阈值特性有哪些特点？实际测量中如何获得准确的阈值？ 3、为什么侧向增益波导条形激光器的阈值电流密度要高于折射率条形激光器？ 4、对于条形激光器，条宽减少引起阈值电流密度增加的因素有哪些? 5、具体地说，半导体激光器的阈值特性与哪些因素相关？;5.2 半导体激光器的效率 ;功率效率：表征加在LD上的电能（或电功率）转换为 输出的光能（或光功率）的效率。 ;2.内量子效率 ;3. 外量子效率 ;4. 外微分量子效率 ;P;;; 作业: 1、名词解释： 功率效率、內量子效率、外量子效率、外微分量子效率 2、写出外微分量子效率的表达式，并指出哪些具体措施能提高半导体激光器的微分量子效率。;5.3 半导体激光器的远场特性 ;LD输出光场分近场与远场。近场分布是指光强在解理面上或解理面一个光波长范围内的分布（与横模，侧模有关）。远场是指距输出这常常与光束的发散角相联系。腔面一个波长以外的的光束在空间上的分布。;;一、θ⊥ ;;;二、θ∥ ;三．波导结构对远场特性的影响 ;;;; 作业:教材181页第4题 1、针对半导体激光器的许多应用，对半导体激光器的光场有什么要求？ 2、名词解释： 半导体激光器的近场分布、半导体激光器的远场分布;;激光器中的光场模式分为横电（TE）和横磁(TM)模两组。每组模式对应着电（或磁）场在垂直于LD结平面方向（横向）平行于结平面（侧向）和传播方向（纵向）的稳定驻波形式。分别称为横模，侧模和纵模，并分别用模指数，m，s和q来表示这三种模式数 ;通信系统：高速调制下仍能单纵模。 光纤耦合：单横模和单侧模;基横模的条件是有源层厚度;;;;;;模式竞争;3. 腔长对模谱的影响 ;;中心模q=0，;;;;四、“空间烧洞”效应对单模功率的限制 ;五、温度对模谱的影响 ;六、单纵模激光器 ;; 作业:教材181页第5，6题 1、在大容量、单模光纤通信系统中，对半导体激光器的输出模式有什么要求？为什么？ 2、名词解释： 自发发射因子、空间烧洞 3、为得到单纵模激光器输出，通常采用哪些手段？;5.5 半导体激光器的光谱线宽 ;光谱线宽：定义为光谱曲线半峰处的全宽。 （Full Width at Half-Maximum—FWHM） ;由于有源区内载流子密度的变化引起的折射率变化增加了激光输出中相位的随机起伏。 跃迁发生在能带之间，增益谱宽。 自发发射因子大得多（10-4对10-9）对。 减少模式和压窄线宽的措施是一样的。 ;肖洛-汤斯线宽;半导体激光器的线宽;与输出功率无关的线宽; 作业:教材181页第7题 1、名词解释： 光谱线宽 2、造成与功率无关的线宽原因是什么？;5.6 半导体激光器的瞬态特性 ; 半导体激光器是电子与光子相互作用并能进行能量直接转换的器件。但当在激光器上施加瞬变的阶跃函数电注入时，在激光器内部将产生一些与稳态时所不同的物理过程，如光子对注入载流子响应延迟，张驰（或松弛）振荡和自持脉冲振荡等。这些瞬态过程将对LD的调制特性产生重要影响。 ;高速调制对半导体激光器性能提出了严格的要求： 1、对输入的电信号不能产生调制畸变。 2、不因直接调制而使LD光谱明显加宽。 3、要求光源有窄的谱线宽度。 4、不产生自持脉冲。 ;瞬态响应的物理模型 ;5.7 半导体激光器的退化和失效 ;整个半导体激光器的发展历史也是一个不断提高其可靠性的过程 12分钟→数十万小时 ;半导体激光器的工作方式 ;热阻rT是重要参数：减少它的有效方法是提高热沉的散热效果，一般使用无氧铜，倒装，良好的欧姆接触和熔焊接触。 ;通常认为LD输出功率下降到其额定功率值的一半时所经历的工作时间称为寿命 。;三、欧姆接触的退化 ; 作业:教材181页第12题 1、高速调制对半导体激光器性能提出了哪些严格的要求？ 2、名词解释： 半导体激光器的寿命 3、通常，半导体激光器的工作方式有哪几种？;第九章 半导体中的光吸收和光探测 ;光子-电子转换器件，如光探测器 ;本征吸收;