半导体物理学-第一章--半导体中的电子状态知识分享.ppt

半 导 体 物 理 学;●半导体中的电子状态;参考书:;前 言;一、什么是半导体？;●电阻率 导体： ρ＜10-4Ωcm 例如：ρCu=10-6Ωcm 半导体：10-3Ωcm＜ρ＜108Ωcm ρGe=0.2Ωcm 绝缘体：ρ＞108Ωcm;T;二、半导体材料的分类;按组成分：; 1.无机半导体晶体材料;化合物 半导体; (1)非晶Si、非晶Ge以及非晶Te、Se元素半导体 (2)化合物有GeTe、As2Te3、Se4Te、Se2As3、As2SeTe非晶半导体;有机半导体通常分为有机分子晶体、有机分子络合物和高分子聚合物。;三、半导体材料的地位;四、半导体的发展;第一个点接触式的晶体管 (transistor);;;分子束外延MBE;;;;几种主要半导体的发展现状与趋势;● GaAs和 InP单晶; InP具有比GaAs 更优越的高频性能，发展的速度更快；但不幸的是，研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。;●半导体超晶格、量子阱;GeSi/Si应变层超晶格材料, 因其在新一代移动通信上的重要应用前景， 而成为目前硅基材料研究的主流。Si/GeSi MOSFET 的最高截止频率已达200GHz，噪音在10GHz下为0.9dB，其性能可与GaAs器件相媲美。;●一维量子线、零维量子点;●宽带隙半导体材料;The End of Preface;第一章 半导体中的电子状态;*重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构;§1·1 半导体的晶体结构和结合性质;共 价 键 的 特 点;饱和性：在共价晶体中能够形成的共价键的数目就等于价电子数。 但在小于三个价电子的元素之间通常不能形成共价晶体，若价电子数N≥4 ，则能够形成的共价键数=8-N 共价键结合还具有方向性，这是因为形成共价键的电子的轨道在空间的方位不是任意的，共价键只是在价电子密度最大的方向上形成。 硅锗金刚石的四面体结构正是饱和性和方向性所决定的 ;2、闪锌矿结构和混合键;3、纤锌矿型结构; 重点: 电子的共有化运动 导带、价带与禁带;1 、原子的能级和晶体的能带;自旋量子数ms：±1/2 ;电子共有化运动: ;(2)晶体的能带 ;四个原子的能级的分裂 ;允带;N个原子的能级的分裂;N个原子的能级的分裂;例:金刚石型结构价电子的能带 对于由N个原子组成的晶体:共有4N个价电子;1.2.2、半导体中电子的状态和能带;（1）自由电子:;;; k -------表示电子状态的角波数 V( x ) ----周期性的势能函数，它满足 V( x ) = V( x + n a ) a ---- 晶格常数 n -----任意整数;布洛赫定理：;满足（1）式的定态波函数必定具有如下的特殊形式;? 它是按照晶格的周期 a 调幅的行波。;周期性边界条件：;a;N个原子有规则的沿x轴方向排列。;x; 下面我们通过一个最简单的一维周期场------- 模型来说明半导体中电子的能带特点。;按照布洛赫定理，波函数应有以下形式;利用波函数应满足的有限、单值、连续等物理 （自然）条件，进行一些必要的推导和简化， 最后可以得出下式;(4)式的左边是 能量E 的一个较复杂的函数，记作 f(E)；;图 5 f(E)函数图;;图中 为 “许可的能量”， 称为能带*。;（3）布里渊区与能带简约布里渊区与能带简图（允带与允带之间系禁带）; 晶体中电子的能量不能取禁带中的数值， 只能取能带中的数值。由 上图 可以看出：;-π/a;禁带;E（k）- k的对应意义： ;例子：硅、锗及闪锌矿结构化合物;电子刚好填满最后一个带;3s;原子间距;Eg;导体、绝缘体和半导体的能带模型 ;半导体的能带模型 ;空 穴 ;因此，在半导体中存在两种载流子： ;常温下： Si：Eg=1.12ev Ge: Eg=0.67ev GaAs: Eg =1.43ev;§1-3 半导体中电子的运动 有效质量;从波动性出发,电子的运动看成频率为ν、 波矢为K的平面波在波矢方向的传输过程.;自由电子E与k 的关系;对E(k)微分,得到:;;在外力作用