电子技术基础作业习题.docVIP

一、填空题： 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，不能移动的杂质离子带 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，不能移动的杂质离子带 电。 2、三极管的内部结构是由 区、 区、 区及 结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极和 极。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） （ ） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （ ）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （ ）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （ ）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （ ）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 三、选择题 1、单极型半导体器件是（ ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？ 参考答案： 一、填空题 1. 五 自由电子 空穴 正 三 空穴 自由电子 负 2. 发射 基 集电区 发射 集电 发射 基 集电 二、判断题 1.× 2.√ 3. × 4. × 5. × 三、选择题 1.C 2.A 3.C 4.C 5.A 四、简述题 1.答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。 2.答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。