大学物理实验--太阳能电池伏安特性的测量.pdfVIP

实验报告 太阳能电池伏安特性的测量 【实验目的】 1. 了解太阳能电池的工作原理及其应用 2. 测量太阳能电池的伏安特性曲线 【实验原理】 1．太阳电池的结构 以晶体硅太阳电池为例， 其结构示意图如图 1 所示． 晶体硅太阳电池以硅半导体材料制成大面积 pn 结进行 工作．一般采用 n+/p 同质结的结构，即在约 10 cm ×10 cm 面积的 p 型硅片（厚度约 500 μm）上用扩散法 制作出一层很薄（厚度 ~0.3 μm）的经过重掺杂的 n 型层．然后在 n 型层上面制作金属栅线，作为正面接 触电极．在整个背面也制作金属膜，作为背面欧姆接触电极．这样就形成了晶体硅太阳电池．为了减少光 的反射损失，一般在整个表面上再覆盖一层减反射膜． 图一 太阳电池结构示意图 2．光伏效应 图二 太阳电池发电原理示意图 当光照射在距太阳电池表面很近的 pn 结时，只要入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度 Eg ，则在 p 区、n 区和结区光子被吸收会产生电子 –空穴对． 那些在结附近 n 区中产生的少数载流子由于存在浓度梯度 而要扩散． 只要少数载流子离 pn 结的距离小于它的扩散长度， 总有一定几率扩散到结界面处． 在p 区与 n 区 交界面的两侧即结区，存在一空间电荷区，也称为耗尽区．在耗尽区中，正负电荷间形成一电场，电场方 向由 n区指向 p 区，这个电场称为内建电场．这些扩散到结界面处的少数载流子（空穴）在内建电场的作用 下被拉向 p 区．同样，如果在结附近 p 区中产生的少数载流子（电子）扩散到结界面处，也会被内建电场 迅速被拉向 n 区．结区内产生的电子 –空穴对在内建电场的作用下分别移向 n 区和 p 区．如果外电路处于开 路状态，那么这些光生电子和空穴积累在 pn 结附近，使 p 区获得附加正电荷， n 区获得附加负电荷，这样 在pn 结上产生一个光生电动势．这一现象称为光伏效应（ Photovoltaic Effect, 缩写为 PV ）． 3．太阳电池的表征参数 太阳电池的工作原理是基于光伏效应．当光照射太阳电池时，将产生一个由 n 区到 p 区的光生电流 Iph．同 时，由于 pn 结二极管的特性， 存在正向二极管电流 ID ，此电流方向从 p 区到 n 区，与光生电流相反． 因此， 实际获得的电流 I 为 （1 ） 式中 VD 为结电压， I0 为二极管的反向饱和电流， Iph 为与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数 是由太阳电池的结构和材料的特性决定的． n 称为理想系数 （n 值），是表示 pn 结特性的参数， 通常在 1~2 之间． q 为电子电荷， kB 为波尔茨曼常数， T 为温度． 如果忽略太阳电池的串联电阻 Rs，VD 即为太阳电池的端电压 V ，则（ 1）式可写为 （2 ） 当太阳电池的输出端短路时， V = 0 （VD ≈ 0），由（ 2 ）式可得到短路电流 即太阳电池的短路电流等于光生电流， 与入射光的强度成正比． 当太阳电池的输出端开路时， I = 0 ，由 （2 ） 和（ 3）式可得到开路电压 （3 ） 当太阳电池接上负载 R 时，所得的负载伏 –安特性曲线如图 2 所示．负载 R 可以从零到无穷大．当负载 Rm 使太阳电池的功率输出为最大时