微电子工艺3外延讲解.pptVIP

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  • 2020-04-23 发布于天津
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x S E e N x N ? ? ? ) ( 假设 1 : 外延层生长时 外延剂中无杂质 , 杂质来源于 自掺杂效应 ) 1 ( ) ( 0 x E E e N x N ? ? ? ? 假设 2 : 衬底杂质无逸出(或认为衬底未 掺杂) ) 1 ( ) ( 0 x E x S E e N e N x N ? ? ? ? ? ? ? 界面杂质叠加的数学表达式为 外延层杂质浓度分布计算 生长指(常)数 Φ ? Φ (cm -1 ) 由实验确定。 ? 与掺杂剂、化学反应、 反应系统,及生长过程 等因素有关 : As 比 B 和 P 更易蒸发 ; SiCl 4 反应过程中的 Φ 要 比 SiH 4 的小 ; 边界层越厚, Φ 就越大。 互 扩散效应 ( Outdiffusion) ? 互(外)扩散效应,指在衬底中的 杂质与外延层中的杂质在外延生长 时互相扩散,引起衬底与外延层界 面附近的杂质浓度缓慢变化的现象。 ? 不是本征效应,是杂质的 固相 扩散 带来。 ? 若杂质扩散速率远小于外延生长速 率,衬底中的杂质向外延层中扩散, 或外延层中杂质向衬底中的扩散, 都如同在半无限大的固体中的扩散。 ? 当衬底和外延层都掺杂时,外延层 中最终杂质分布 + 对应 n/n + ( p/p + ) - 对应 p/n

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