cst丛书18算例34_任意结构的微放电仿真.doc

任意结构的微放电仿真 （丛书18 算例34） CST China Ltd. / 2014/7/17 目录 1. 电场分布仿真 2. 使用粒子自洽求解器（PIC）仿真微放电 3. 粒子自洽求解器（PIC）得到的微放电现象 4. 使用粒子追踪求解器（TRK）仿真微放电 5. 粒子追踪求解器（TRK）得到的微放电现象 6. 总结 2 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 概述 ? 微放电现象是发生在微波器件内部存在少量游离 粒子的真空环境中的一种粒子倍增现象，主要是 由电子谐振引起的，致使二次发射电子数短时间 内呈现指数规律增长的一种现象，也叫二次电子 倍增效应。当发生微放电现象时，粒子数成指数 形式上升，微波器件内部会很快充满电子，阻塞 微波通路，导致器件故障；为了避免微放电现象 的发生，需要使用精确的仿真工具对微放电现象 进行仿真，得到微放电功率。 3 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 微波开关模型 ? 以微波开关的J1-J2通路为例，使用CST微波工作室和CST粒子工作室 得到微波开关发生微放电现象的功率阈值。 J3 J2 J4 J1 4 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 结构尺寸 内导体直径2.4 ，外导体直径 5.26，长3.5 内导体直径1.6 ，外导体直径 5.5，长2.7 内导体直径2.4 ，外导体直径 5.5，长5 内导体直径2.2 ，外导体直径7 ，长6.8 31.35 5 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 1 电场分布仿真 使用CST微波工作室仿真微波开关内部的电场 分布，确定电场最强的位置 6 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 导入模型 7 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 导入之后的模型（截面图） 8 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 全部端口 ? 重复操作，在微波开关的另一端建立一个相同的端口： 9 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 网格视图 10 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 启动仿真 11 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ S参数结果 12 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 电场分布结果@1.23GHz（动态） 13 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 磁场分布结果@1.23GHz（动态） 14 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 保存文件 ? 点击File选项卡上Save按钮，将文件保存为Waveguide Switch-MWS，如下图所示： 15 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 2 使用粒子自洽求解器（PIC） 仿真微放电 使用CST粒子工作室仿真微放电现象 16 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 另存文件 ? 点击File选项卡上Save As按钮，将文件保存为Waveguide Switch-PIC，如下图所示： 17 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 切换问题类型 ? 点击Home选项卡上Problem Type按钮，在弹出的下拉菜 单中选择Particle PIC，如下图所示： 18 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 查看材料属性 ? 在SEE – Gold材料上点击鼠标右键并选择Properties，打开 材料属性对话框，可以在Particle Emission Properties选 项卡上查看材料的二次电子发射属性，点击True...、 Elastic...、Rediff...按钮可以对材料的二次电子发射属性 进行设置 19 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 查看材料二次电子发射属性 ? 在导航树的1D Results Materials SEE - Gold SEE SEY中查看材料的二次电子发射属性曲线，如下图所示 ： 20 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 设置粒子源（1） 21 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 设置粒子源（2） 22 任意结构的微放电仿真 CST China Ltd | | info@ 两个粒子源