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CMOS 器件IBIS 模型的I-V 和V-T 曲线 hfxin2001@126.com 写在前面的话，之前读 IBIS Spec 时总有一些疑惑，如 I-V 曲线中的数据是如何得到的？为什 么有 4 个 V-T 曲线? Input Buffer 的结构是怎样的？VCC relative 究竟怎么理解？看到参考文献 [1]后，这些疑问都明了，在此向 IBIS 的前辈，特别是 Muranyi 致敬；同时也希望能对新人有所帮 助。这篇文章主要摘自参考文献[1]，原文有些错误，按照我的理解做了相应的修改，一并附上。 在理解 Spice 软件如何利用 VT 曲线仿真时，得到了 hero 的帮助，在此谢过。^_^ 一、CMOS 的I/O buffer 结构2 二、CMOS 器件的I-V 曲线2 2.1 PD 的I-V 曲线3 2.2 PU 的I-V 曲线4 2.3 GC 的I-V 曲线5 2.4 PC 的I-V 曲线6 2.5 IBIS 中的PU 和PC I-V 曲线的说明7 2.6 I-V 曲线的重新计算8 2.7 IBIS 模型中的 Fast 、Typical 和Slow 8 三、CMOS 器件的V-T 曲线9 附注1：NMOS 的开关过程12 附注2 ：VT 曲线的使用13 IBIS 模型内容是ASCII 文本格式的数据，这些数据描述了数字器件 I/O Buffer 的模拟特性。仿 真软件（通常都是基于 Spice 的，SigXplore 可参考在 Sigxp.run\Case#\Sim# 目录下生成的文件） 会按照一定的规则从 IBIS 模型中抽取数据，用于仿真。图 1 给出一个 IBIS 模型的实例。 图 1 Micron 的SDRAM IBIS 模型 一、CMOS 的I/O buffer 结构 CMOS 是目前应用最为广泛的工艺，其Output Buffer 和 Input Buffer 电路结构如 图 2 所示。 其中 PU 器件是 PMOS，PD 器件是 NMOS；两个二极管用于ESD 防护，在Output Buffer 和 Input Buffer 中都存在。 Output / DriverOutput / Driver Input / ReceiverInput / Receiver Pull-upPull-up DeviceDevice ESD DiodesESD Diodes ++ Inherent Diodes in TransistorsInherent Diodes in Transistors Pull-downPull-down Pad CapacitancePad Capacitance DeviceDevice 图 2 CMOS 的IO Buffer 结构 二、CMOS 器件的I