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三极管测试方法 若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。 根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“ ”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”； 被测管的C.B.E按规定进行连接； 将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级； 测试A与测试B搬向被测管连接的一边； 集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合； 选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值； 选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要进行选择； 观察显示的曲线（波形），并进行读数记录； 其发射极IB-IC特性： 根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置； 被测管的CBE按规定进行连接； 将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“ ”的档级； 测试A与测试B搬向被测管连接的一边； ⑤ 集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）； 将Y。Y方式开关“ “调节零点位置； 选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值； 对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算HFE值： HFE=IC/IB IC=示波管刻度×档次读数 IB=幅度/级×级数 ⑵、①反压特性测试及二极管特性测试： 本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表： VCBO集电极基极间电压（发射极开路） VEBO发射极与基极间电压（集电极开路） VCEO集电极与发射间电压（基极开路） VCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接） VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短） 接C 接E 悬空 b c e 接E 悬空 b c e 接C 接E 悬空 b c e 接C 接c 接E 接E b c e 接E 接E b c e 接c 根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性； ② 被测管的CBE接上表的连接方法进行连接； ③ Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA度档级）； ④ Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）； ⑤ 将功耗限制电阻置于较大档级（一般置于10KΩ-100KΩ之间）； ⑥ 选择测试A、B的位置； ⑦ 选择合适的电压档级，峰值电压调为零，当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压； ⑧ 对所显示的VDS-ID曲线波形进行读数或记录、观察； ⑨ 如需要显示VGS-ID曲线可将X电压/度置于“ ”档级。 ⑷、可控硅特性测试： 可控硅的测②试可根据需要对正向阻断峰值电压（PEV），正向漏电流（IPF），反向阻断峰值电压（PRV）反向漏电流（IR），控制极可触发电压（VGT），控制极可触发电流（IGE）正向电压降（VF）条参数进行测试。 ① 将测试选择开关置于NPN，并将“ ”开关置于“常态”； ② 被测管的A接C、G接B、C接E； ③ 将Y电流/度开关置于IC范围内的合适档级（实际为IF值）；X电压/度开关置于UD合格档级（实际上UA值）； ④ 测试A 与B搬向被测管的一边； ⑤ 选择合适的功耗限制电阻（要求0Ω），以免电流过大而使被测管烤坏； ⑥ 按照VAC的要求值调节集电极峰值电压值，使显示值与右下方的零刻度重合； ⑦ 选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级的较小档级，再逐渐加大至达到可触发点； ⑧ 对显示的VA-IF曲线（波形）进行观察、读取及记录； ⑨ 如需要显示IGT-VGT曲线可将X电压/度置于VBE档级，Y电流/度置于“ ”档级。 以下例举各种正常与非正常曲线（波形）以你供参考：