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士兰微电子 SD8585S 说明书 内置高压MOS管的原边控制开关电源 描述 SD8585S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用 PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，具有非常高的稳定 性和平均效率。 采用SD8585S设计系统，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精 简电路、降低系统成本。 SD8585S适用10~12W输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。 SOP-7-225-1.27 主要特点 ? 内置高压 MOS 管功率开关 ? 原边控制模式 ? 低启动电流 ? 前沿消隐 应用 ? 充电器 ? 逐周期限流 ? 适配器 ? PFM 调制 ? 待机电源 ? 降峰值模式 ? 过压保护 ? 欠压锁定 ? 环路开路保护 ? 最大导通时间保护 ? 过温保护 ? 线损电压补偿 ? 峰值电流补偿 产品规格分类 产品名称 线损补偿 封装类型 打印名称 材料 包装 SD8585S 6% SOP-7-255-1.27 SD8585S 无卤 编带 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: // 共 10 页 第 1 页 士兰微电子 SD8585S 说明书 内部框图 5 6 VCC 1 欠压锁定 基准电压 偏置电流 VCC过压保护 最大导通时间保护 R FB Q 2 FB过压保护 环路开路保护 保护恢复 时间 S - 开启控制 恒流控制 120mV - 误差 2.0V 线损 放大 CDC 补偿 恒压控制 3 过温保护 驱动 振荡器 R Q - 0.50/0.38/0.28 /0.21/0.17 负载 检测 S 前沿 消隐 FB 电流 补偿 ISEN GND 4 7 管脚排列图 VCC 1 7 GND FB 2 CDC 3 6 Drain ISEN 4 5 Drain 管脚说明 管脚号 管脚名称 I/O 功 能 描 述 1 VCC P 供电电源； 2 FB I 反馈电压输入端； 3 CDC I 输出线损补偿端； 4 ISEN I 峰值电流采样端； 5、6 Drain O 高压 MOS 管漏端。 7 GND G 地； 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: // 共 10 页 第 2 页 士兰微电子 SD8585S 说明书 极限参数（除非特殊说明，Tamb=25°C） 参 数 符 号 参 数 范 围 单 位 供电电压 VCC -0.3~27 V 内部电源电压 VREF5V -0.3~5.5 V FB输入电压 VFB -30~30 V 其他输入电压 VIN -0.3~ 5.5 V 输入电流 IIN -10~10 mA 工作结温 TJ +150 °C 工作温度范围 Tamb -20~ +85 °C 贮存温度范围 TSTG -40~+150 °C ESD（人体模式） ESD 2500 V 漏源击穿电压 BVDSS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 ID 4.0 A 漏极脉冲电流 IDM 12 A 耗散功率 PD 25 W 单脉冲雪崩能量 EAS 135 mJ MOS 管电气参数（除非特殊说明，Tamb=25°C） 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 MOS管电流规格 ID -- -- 4.0 A 静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V，ID=1.5A -- 1.6 2.0 ? 输入电容 Ciss 120 170 220 输出电容 Coss VGS=0V，VDS=25V，f=1MHz 270 385 500 pF 反向传输电容 Crss 210 310 410 导通延迟时间 td(ON) 4.5 6.4 7.3 上升时间 tr VDS=300V ， VGS=10V ， 15 22 29 关断延迟时间 td(OFF) RG=25?，ID=3A 9 13 17 nS 下降时间 tf 15 22 29 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=50μA 600 -- -- V 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: // 共 10 页 第 3 页 士兰微电子 SD8585S 说明书 电气参数（除非特殊说明，VCC=18V，Tamb=25°C） 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 供电电源部分 启动电流 IST VCC =16V； -- 1.5 3 μA 静态工作电流 IDD ISEN=0，FB=0； 240 300 360 μA 启动电压 VST 16.3 17.8 19.3 V 关断电压 VSP 8.1 8.8 9.5 V 内部供电电源 VREF5V 4.75 5.0 5.25 V VCC 过压保护电压 VCCOVP 25.5 27.0 28.7 V 反馈部分 使能