TMR501 大动态范围Z轴线性传感器.pdfVIP

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2020-05-08 发布于河北
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TMR501 大动态范围Z轴线性传感器.pdf

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TMR501 基于 TMR 技术的Z 轴线性传感器 TMR501 产品特性  最新一代磁感应技术--隧道磁阻（TMR ）技术  高敏感度  低功耗  低磁滞  稳定的温度特性  宽工作电压范围典型应用  电流检测  角度检测  位移检测订购信息产品代号工作温度封装选项包装形式 TMR501 -55 ~ 150℃ TO-94/SSIP-4 - - Rev. 001 Page 1 of 7 Mar. 12th, 2014 TMR501 基于 TMR 技术的Z 轴线性传感器 1. 功能框图 2. 概述 TMR501 是基于第四代磁感应技术— VDD —隧道磁阻（TMR ）的线性传感器，可感应垂直于芯片表面的磁场强度。 TMR501 采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，当垂直于芯片表面的磁场发 OUT+ OUT- 生变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在全温度范围（-55℃~+150 ℃）内， TMR501 的敏感度和失调电压可保持在一 GND 个稳定的水平。配合简单的磁路设计， TMR501 可广泛用于角度检测、电流传感、位移检测等多个场合。 3. 引脚定义引脚号符号引脚描述 1 Gnd 地( 电源) 2 OUT- 模拟差分输出 1(2) 3 VDD 电源(地) 4 OUT+ 模拟差分输出 2(1) 4. 极限参数参数符号极限值单位条件供电电压 VDD 7 V 反向供电电压 VDD-REV -7 V 外加磁场 B 4000 G X, Y, Z 轴 ESD 性能 (HBM) VESD 4 kV 工作温度 TAMB -55 ~ 150 °C 存储温度 TST -70 ~ 165 °C 注：应用条件超出上述极限参数可能