集成电路互连Cu-Mo合金自形成扩散阻挡层制备开题报告.docxVIP

Xxx学院专业综合实验开题报告 Cu-Zr合金自形成阻挡层制备研究 学生姓名： 指导教师： 所属专业：  一、实验背景及意义 1.1互连的定义及其面临的挑战 所谓互连（interconnect）是指硅芯片上的电子元件以金属导线连接从而形成完整电路的工艺。互连线按其功能不同分为两类：一类称为“局域互连”，是一个功能块内的不同元件的栅之间的互连，这种互连线较短从而电阻R较小，栅电容（C）是影响RC反应时间的主要因素；另一类称为“整体互连”，是不同功能之间互连。在亚微米以上的区域，有整体互连引起的RC时间延迟基本上保持为常数，其反应时间远小于由局域互连引起的延迟，这时栅电容是决定RC反应时间的主要因素。而器件特征尺寸进入到深亚微米后，芯片面积迅速增大，集成密度进一步提高，所有这些都要求金属连线减少宽度，增加连线层数。而连线宽度减小引起连线电阻增加，电流密度增大，电路互连延迟时间增长。整体互连的时间延迟（RC）急剧上升，大大超过了局域互连的贡献，成为决定芯片最终性能的决定性因素，即所谓的“互连危机”。如图1-1 所示，当元件尺寸小于0.35μm时，多层金属连线成为影响元件操作速度及功率消耗恶化的主要原因。另外，在芯片封装工艺中，互连体积也会对封装尺寸产生一定的影响。据预计，在未来几年里，芯片上的连线将超过10层布线，逻辑电路中需连接的晶体管超过108/cm2，存储器件中则超过109/cm2，由此可预见解决互连问题的重要性。 图1-1 门延迟和互连延迟不同互连系统材料与IC 技术时代的关系 1.2 Cu金属化（Copper Metallization）及其互连工艺 在集成电路内部进行金属连线时，首先要使硅表面金属化。对于金属化材料是有严格要求的：一是金属与硅应形成良好的合金，以便形成欧姆接触；二是金属原子不应在硅中有较强的扩散。自集成电路诞生以来，人们一直采用铝（Al） 作为集成电路的内部连线（简称引线）材料。尽管铝在导电性和耐磨性等方面不如铜，而且铝还容易发生电迁移，但是，由于铝引线工艺方便简单，且铝与硅（较高表面杂质浓度）还能直接形成良好的欧姆接触，因此，铝引线一直应用至今。但是，随着集成电路特征尺寸的变小，由于铝引线的电阻和分布寄生效应造成的信号延迟和功耗损失已成为集成电路进一步提高速度的主要障碍。 可以用作导线的金属如Al、Au、Ag、Cu等，其物理性质如表1-1所示。由此我们可以看出Cu是很好的集成电路互连金属的候选者。它成本低，应力特性好。使用铜互连可以减小芯片上互连线的电阻，或者在保持电阻不变的情况下减小互连金属的厚度来减小同一层内互连线间的耦合电容，从而降低耦合噪声和互连线的信号延迟。在保持同样的RC时间延迟下，可以减少金属布线的层数，而且芯片面积可缩小20-30%。若配合上低介电常数材料（Low k层间电介质ILD，如SIOC，SIF，а-CF等）铜互连会使寄生电容降低，IC速度提高，其性能和可靠性均获得提高。另外Cu的干净界面较易形成，从而减少了金属层间的接触电阻。因此，当特征尺寸为0.18m 或更小时，铜代替铝用于芯片制造工艺，这就在0.13 微米及以下线宽的集成电路制造中，只能用铜作为引线的新材料。如今铜互连已在0.1-0.18微米器件中使用，但是铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用时的可靠性问题还需进一步研究。 表1-1 金属导线材料物理性质 Al Cu Ag Au Resistivity (iù·cm, at room temperature 22℃） 2.8 1.7 1.6 2.2 Melting Point（℃） 660 1083 961 1063 EM Endurance (compare to Al) 1 20 10 20 Heat of Formation of oxide (kcal/Zrl) -400 -40 -73 -0.8 Diffusion into SiO 2 No Yes Yes No Agglomeration No Small Severe No RIE Easy — Difficult — 1997年9月IBM、ZRTOROLA、SEMTECH相继宣布开发成功以铜布线代替铝布线的IC新技术，即用电镀方法把铜沉积在硅圆片上预先腐蚀的沟槽里，然后用化学机械抛光CMP使之平坦化。 1998年ZRTOROLA推出0.15微米的SRAM 用多层铜布线技术，IBM 公司生产出铜布线的400MHz的商用高速PC芯片。 2001年的SEMI研讨会上，IBM公司和Infineon（原西门子公司半导体部）发表了CZRS 7S和7SF工艺，