电力电子课程常见问题解答.docVIP

电力电子课程常见问题解答 ? 1．? 普通晶闸管结构是四层(PNPN)三端(A、G、K)半导体器件，属半控型开关管，外形有螺栓形和平板形，符号为 ??????????????? K??????? G ?　 　 ??????????????A?????????????? K：阴极????? A：阳极?????? G：门极? ??????????????????????? 2．普通晶闸管导通相关断条件： ??? 晶闸管导通必须同时具备以下两个条件：—是晶闸管的阳极、阴极之间加正向阳极电压；二是晶闸管的门极、阴极之间加适当正向门极电压和电流。 晶闸管由导通变为关断的条件是使流过晶闸管的阳极电流降至其维持电流以下，具体方法是使晶闸管阳极与阴极之间承受反向电压。 ? 3．晶闸管的主要参数： ??? 晶闸管的通态平均电流IT(AV)，的定义：在环境温度为十40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°的电阻性负载电路中，在额定结温下，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。将该电流按晶闸管标准电流系列取整数值，即为该晶闸管的通态平均电流。在实际电路中，流过晶闸管的电流可能是任意的非正弦波．应根据电流有效值相等即发热相同的原则，将非正弦半波电流的有效值Iv折合成等效的正弦半波电流平均值去选择晶闸管额定值，即 ?? IT＝Ki Id＝1．57IT(AV) 式中，Ki为非正弦被的波形系数。 其他参数有额定电压、维持电流、擎住电流等。 ? 5、如何计算任意波形的电压或电流的平均值和有效值： ??? 可根据平均值、有效值的定义来求出。设f(θ)为表示电压或电流的周期函数，则它在θ1-θ2期间的平均值和有效值用下式 平均值为：?????? 有效值为：?????? ? 6、晶闸管的选取方法 主要包括额定电压、额定电流参数两部分。额定电压参数的选取主要是根据晶闸管所承受的最大电压，再根据要求乘以电压安全裕量系数；额定电流参数的选取主要是根据晶闸管电流的通态平均值，再根据要求乘以电流安全裕量系数即可。根据计算的电压和电流的数值，及生产厂家提供的晶闸管的参数表，就可确定所选晶闻管的型号。 ? 7、全控型器件包括哪些？ 双极型晶体管(GTR)、功率场效应管(MOSFET)、绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)、MOS控制晶闸管(MCT)等。 ? 8、全控型开关器件：GTR，IGBT，MOSFET，达林顿管中用于电流型驱动的开关管的是哪几种?属于电压型驱动的是哪几种? 答：属于电流型驱动：GTR、达林顿管； ??? 属于电压型驱动：IGBT，MOSFET。 ? *9、全控型开关器件的缓冲电路的主要作用是什么? 答：在开关器件关断时，由于电路中有电感的存在，会在器件上产生很高的过电压和du/dt，对器件的安全运行带来很大的威胁，特别是GTR，还可造成反向偏置二次击穿。为防止过电压和减小du/dt，常设置缓冲电路。 ? *10、试说明GTR、MOSFET和IGBT、MCT各自优点和缺点？ 答：GTR的容量中等，工作频率一般在10 kH z以下，属电流控制型器件，所需驱动功率较大。 ??? MOSFET器件容量较小，工作频率最高，可达100KHZ以上，属电压控制型器件、所需驱动功率最小，但其通态压降大，开通损耗相应较大。 ??? IGBT的容量和GTR的容量属同一等级，但属电压控制型器件，驱动功率小，工作频率高，有取代GTR之势。 ??? MCT阻断电压高，通态压降小，驱动功率低，开关速度快，在所有器件中最有发展前途。 ? *11、在单相桥式全控整流电路中，若有晶闸管因为过流而烧成断路，结果会怎样?如果这只晶闸管被烧成短路，结果又会怎样? ?? 答：若有一晶闸管因为过流而烧成断路，则单相桥式全控整流电路变为单相半波可控整流电路，如果这只晶闸管被烧成短路，会引起其他晶闸管因对电源短路而烧毁，严重时使输入变压器因过流而损坏。因此在设计电路时，在变压器二次侧与晶闸管之间应串联快速熔断丝，起到过流保护的作用。 ? *12、某单相可控整流电路给电阻性负载供电和给反电动势负载蓄电池充电，在流过负载电流平均值相同的条件下，哪一种负载的晶闸管额定电流应选大一点?为什么? 答：在流过负载电流平均值相同的条件下，反电动势负载时晶闸管额定电流应选得大一些。因为反电动势负载时，晶闸管导通的条件除了门极需要触发外，还必须瞬时阳极电压大于反电动势E值，所以导通角比电阻性负载时小。因此，在平均电流值相同时，反电动势负载的电流波形系数Kf比电阻负载时大，所以晶闸管的额定电流应选大—些。 ? *13、为什么可控整流电路不应在直流侧直接接大电容滤波? ??? 答：? 整流电路直接并联电容经滤波后再输出，晶闸管刚一触发导通就有很大的电容充电电流流过晶闸管，电流的大小由电源电压与电容电压之差