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半導體物理知識點總結附重要名詞解釋 是过剩硅离子。 霍尔效应 将通有 x 方向电流的晶体置于 z 方向的磁场中，则在洛仑磁力作用下在 y 方向会产生附加电场，这种现 象被称为霍尔效应。 霍尔角 在磁场作用下，半导体中的电流可能与电场不在同一方向上，两者间的夹角称为霍尔角。 以 p 型半导体为例，简要说明霍耳效应的形成机理。 若半导体沿 x 方向通电流，z 方向加磁场，则在 y 方向将产生横向电场，该现象称为霍耳效应 产生的横向电场称为霍耳电场 Ey， 它与 x 方向电流密度 Jx 和 z 方向磁感应强度 Bz 成正比， 比例系数成为霍耳 系数。是由于运动电荷受落仑兹力作用的结果。 稳定条件下，横向电流为零，则 由此可得： fE ? fB ? 0 E y ? vx Bz ? Jx ? Bz pq 显然，对于 p 型半导体： RH ? 1 pq 6.简并半导体非简并半导体： ? 若费米能级进入了导带，说明 n 型杂质掺杂浓度很高(即 ND 很大；也说明了导带底附近的量子态基本上被电 子所占据了。若费米能级进入了价带，说明 P 型杂质掺杂浓度很高(即 NA 很大；也说明了价带顶附近的量子态基 本上被空穴所占据了。此时要考虑泡利不相容原理，而玻尔兹曼分布不适用，必须用费米分布函数。这此情况称为 载流子的简并化。 ? 发生载流子简并化的半导体称为简并半导体. 简并化的标准 重要名詞解釋 16 1. 有效质量: 粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括 了半导体内部势场的作用。 2. 费米能级: 费米能级是 T=0 K 时电子系统中电子占据态和 未占据态的分界线，是 T=0 K 时系统中电子所能具有的最 高能量。 3. 准费米能级: 半导体处于非平衡态时，导带电子和价带空 穴不再有统一的费米能级，但可以认为它们各自达到平衡， 相应的费米能级称为电子和空穴的准费米能级。 4. 金刚石型结构： 金刚石结构是一种由相同原子构成的复式 晶体，它是由两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线彼 此位移四分之一空间对角线长度套构而成。每个原子周围 都有 4 个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。 5. 闪锌矿型结构：闪锌矿型结构的晶胞，它是由两类原子各 自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一 空间对角线长度套构而成。 6. N 型半导体: 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷） ，使 之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 N 型半导体。 7. P 型半导体 : 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼） ， 使之取代晶格中硅原子的位置，形成 P 型半导体。 8. 状态密度: 在能带中能量 E 附近每单位能量间隔内的量子 态数 9. 费米分布函数 : 大量电子在不同能量量子态上的统计分 布 10.非平衡载流子: 半导体处于非平衡态时，比平衡态时多出 来的那一部分载流子称为非平衡载流子。Δp=Δn 11.直接复合： 电子从导带直接跃迁至价带与空穴相遇而复合。 12. 间接复合 : 电子通过禁带中的能级而跃迁至价带与空穴 相遇而复合。 13.施主能级:通过施主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级， 被子施主杂质束缚的电子能量状态称施主能级。 14 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能 级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂 质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 15.陷阱中心:半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能 级，这些能级具有收容部分非平衡载流子的作用，杂质能 级的这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。把产生 显著陷阱效应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 16.复合中心： 半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定 的能级，对非平衡载流子的寿命有很大影响。杂质和缺陷 越多，寿命越短，杂质和缺陷有促进复合的作用，把促进 复合的杂质和缺陷称为复合中心。 （2 分） 17 等电子复合中心：等电子复合中心：在Ⅲ－Ⅴ族化合物半 导体中掺入一定量的与主原子等价的某种杂质原子，取代 格点上的原子。由于杂质原子和主原子之间电负性的差别， 中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心，带电 中心会吸引和被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个 激子束缚态。 18.迁移率：单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动 速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物 理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：μ =qτ /m* 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的 因素。 19.漂移运动: 载流子在电场作用下的运动。总漂移电流密度 方程 J ? J n ? J p ? (nq?n ? pq? p E 20.扩散运动 ：当半导体内部的载流子存在浓度梯度时，引 起载流子由浓度高的地方向浓度低的地方扩散，扩散运动是 载流子的有规则运动。电子扩散电流