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第三章 场效应管放大器 ? 绝缘栅场效应管 ? 结型场效应管 3.2 场效应管放大电路 ? 效应管放大器的静态偏置 ? 效应管放大器的交流小信号模型 ? 效应管放大电路 3.1 场效应管 3.1 场效应管 BJT 是一种电流控制元件 ( i B ~ i C ) ，工作时，多数载流 子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（ Field Effect Transistor 简称 FET ）是一种 电压控制器件 ( u GS ~ i D ) ，工作时，只有一种载流子参与 导电，因此它是单极型器件。 FET 因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入 电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET 分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道 一 . 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET) ， 简称 MOSFET 。 分为： 增强型 ? N 沟道、 P 沟道 耗尽型 ? N 沟道、 P 沟道 1. N 沟道增强型 MOS 管 （ 1 ）结构 4 个电极：漏极 D ， 源极 S ，栅极 G 和 衬底 B 。 - - - - g s d b 符号： - - - - N + + N P 衬 底 s g d b 源 极 栅 极 漏 极 衬 底 当