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模拟电路复习提纲 PAGE 7 模拟电路复习提纲 2015.01.06 第1章 半导体器件 本征半导体和杂质半导体，电子和空穴；多子、少子 PN结：扩散和漂移、空间电荷区（耗尽层）、正偏和反偏 二极管的单向导通性（重点）；稳压管的稳压原理与使用方法； 三极管的结构特点、电流放大原理（电子的发射、复合与收集）、电流关系（?、?），三极管的输入特性和输出特性（P15），重点理解输出特性曲线，理解放大区、饱和区、截止区的特点及两个PN结的偏置组合，并与第二章的图解法和静态工作点相联系， 第1章重点：理解PN结（二极管）的单向导通性，理解三极管的电流放大原理和特性，重点在于理解基本概念和原理 第2章 放大电路的基本原理和分析方法 放大的概念与实质： 小能量对大能量的控制，调制 主要技术指标：放大倍数、输入和输出电阻、通频带等 单管共射放大电路：基本结构与工作原理 直流通路与交流通路 静态工作点：IBQ、ICQ、UCEQ，一般估算方法，（注：不同电路有不同分析方法，分压式静态工作点稳定电路、差分放大电路等） 图解法：三极管输出特性曲线+直流负载线 or 交流负载线 微变等效电路法：前提条件（微变）、处理方法（线性化）、适用条件（中频）例：单管共射放大电路的微变等效电路分析动态特性 静态工作点的稳定：温度影响、稳定电路：1. 发射极电阻Re+旁路电容；2. 分压式稳定电路：静态工作点的估算